• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
    EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand

    nand 文章 最新資訊

    Gartner:蓬勃的DRAM市場為內存制造商帶來增長

    •   Gartner發布初步統計結果,2014年全球半導體總營收為3398億美元,與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導體廠商合并營收增長率為11.7%,優于該產業整體表現。前25大廠商占整體市場營收的72.1%,比2013年的69.7%更高。   Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示:“就群體來看,DRAM廠商的表現勝過半導體產業其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩雙重因素而蓬勃發展并持續至今,2014年營收也因而增長31.
    • 關鍵字: Gartner  DRAM  NAND  

    三星2015年內量產48層V NAND 已著手研發64層產品

    •   三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產V NAND的競爭業者將技術差距拉大到2年以上,并在次世代存儲器芯片市場上維持獨大地位,計劃在2015年內量產堆疊48層Cell的3D垂直結構NAND Flash。   據首爾經濟報導,三星近來已完成48層結構的V NAND研發,并著手研發后續產品64層結構V NAND。48層V NAND將于2015年內開始量產。原本韓國業界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND,并在2016年才投入量產,然三星大幅提前了生產日程。
    • 關鍵字: 三星  NAND  Intel  

    高交會上東芝引領閃存技術走向

    •   全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange的數據表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。   東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好,在高交會電子展上展示的存儲技術和產品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產品,并且東芝的技術動向,也在引領未來閃存的發展趨勢。
    • 關鍵字: 東芝  NAND  閃存  3D  201501  

    Spansion面向嵌入式市場推出新型工業級e.MMC NAND閃存產品

    •   不久前,Spansion宣布面向嵌入式系統的全新工業級e.MMC產品系列。眾所周知,Spansion于2012年推出了立足嵌入式應用的SLC NAND產品。至此,我們為SLC NAND解決方案發展了一個強大的客戶群,而且我們還發現,這些客戶對嵌入式集中規模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現成”產品的嵌入式客戶而言,Spansion全新的e.MMC系列產品是一個完美的選擇。        作為Spansion第一款管理型NAND產品系
    • 關鍵字: Spansion  NAND  

    海力士前高層加入慧榮 SSD大戰鳴槍

    •   固態硬碟(SSD)戰火正熱,持續成為2015年產業焦點,NAND Flash控制芯片業者為了布局上游半導體大廠,使出渾身解數綁樁,傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。   慧榮一向和SK海力士合作緊密,雙方合作內嵌式存儲器eMMC業務外,有機會延伸至SSD產品線上,2015年更是關鍵年,慧榮內部極度重視SSD產品線,立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標,看好公司營運
    • 關鍵字: SSD  NAND Flash  SK海力士  

    NAND閃存將被RRAM顛覆?存儲器市場暗潮涌動

    •   NAND閃存已經成為固態存儲的霸主,不過它也存在諸多問題,尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短,TLC格式也引發了諸多質疑,因此研發一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行。   從FRAM到相變式存儲器,新選手不斷涌現,但目前還未能挑戰NAND的地位。直到最近,名為電阻式RAM的新貴出現了,它最被看好,三星、閃迪等巨頭都在投入,不過,走在最前列的是一家美國創業公司Crossbar。   RRAM相較于NAND最大的優勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別,Crossba
    • 關鍵字: NAND  三星  閃迪  

    DRAM樂觀 NAND有隱憂

    •   記憶體市況今年將不同調;動態隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩定獲利,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。   DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。   臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元,將創歷史新高紀錄。   NAND Flash市場競爭、變化相對激烈,且難以預料;去年下半
    • 關鍵字: DRAM  三星  海力士  NAND Flash  

    東芝擴充海外內存芯片廠,會是中國嗎

    •   據國外媒體報道,東芝首席執行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示,公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內存芯片工廠,并且在選擇建廠地址時會考慮海外地區。   東芝在不到4個月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠,田中久雄在接受采訪時稱,需求超過了產能,公司必須擴大產能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機和其他電子產品。   田中久雄稱:“三星已經在中國西安市建廠,海力士也在中國建了一座生產廠。”當被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區時,他補充說
    • 關鍵字: 東芝  NAND  

    中國“援軍”幫助東芝追趕三星

    • 智能手機全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數據時代到來等,都將大幅增加對NAND型記憶卡的需求。
    • 關鍵字: 東芝  三星  NAND  

    慧榮科技推出業界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案

    •   在設計及推廣用于固態存儲設備的NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統設計的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。   FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應用在車載IVI系統等嵌入式應用中的SATA及PATA硬盤驅動器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業界領先的控制器并采用小尺寸BGA封裝,FerriSSD解決方案與傳統的硬盤驅動器相比不僅運行速度更
    • 關鍵字: 慧榮科技  NAND  BGA  

    NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術百花齊放

    •   由于閃存技術的發展,閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升,但縱觀整個計算架構,閃存仍舊是計算系統中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意,并且隨著工藝水平的提升,其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產線已經達到15nm的水平,存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術。   日前,鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
    • 關鍵字: NAND  MLC  TLC  

    研調:12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內

    •   TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究顯示,美系廠商在第三季季底財報結算壓力過后,不再采取積極價格戰,使得原廠間戰火稍緩。另一方面,因模組廠預期此波價格跌勢將持續,再加上手中庫存仍充足下,大多傾向12月月底再進行采購談判,以爭取更優惠的價格。因此,12月上旬因交易氣氛冷清,NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。   DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示,在歐美圣誕節備貨動能正式結束后,受到季節性因素影響,預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
    • 關鍵字: NAND Flash  eMMC  

    三星半導體設備投資傳明年微幅加碼,擬加蓋 NAND 廠

    •   韓國時報(Korea Times)15 日報導,三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜,或相當于 120 億美元,稍高于今年的 13 兆韓圜。   全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持,三大廠市占率合計來到 93%。知情人士消息指出,三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩定與市場供需平衡。   據報導,三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加,因此考慮明年在大陸西安開設新廠房。除此之外,有鑒于 DRAM 的需求平穩,
    • 關鍵字: 三星  SK 海力士  美光  NAND   

    東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場傳輸技術加速市場化

    •   2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續、快速更新的帶動下表現出價格穩定、需求強勁的發展態勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業者進入出貨旺季的帶動下,新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流,三星、東芝這些存儲行業大牌的表現尤為出色。據市場調研機構TrendForce最新報告,2014年第三季度東芝NAND Flash產品營收環比大增23.7%,穩居世界前二位,其中15nm新制程的產出比重持續增加。   在今年的高交會上,記者也對東芝新制程的存儲
    • 關鍵字: 東芝  NAND Flash  TransferJet  

    無NAND之地:閃存無法占領數據中心?

    •   NAND會不會徹底占據數據中心?答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預測顯示,磁盤的發展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應商利用更多配套解決方案保持現有使用壽命——具體而言,在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
    • 關鍵字: NAND  SSD  數據中心  閃存  
    共1149條 38/77 |‹ « 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 » ›|

    nand介紹

    一般快閃記憶體可分為二大規格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規格快閃記憶體像硬碟,以儲存數據為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

    相關主題

    熱門主題

    NAND閃存    Nand/Nor    Nand-Flash    V-NAND    NANDFlash    樹莓派    linux   
    關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
    Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
    《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
    備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473
    主站蜘蛛池模板: 雷州市| 杭锦旗| 清流县| 深水埗区| 濉溪县| 洛隆县| 临安市| 玉山县| 万山特区| 阿合奇县| 隆子县| 红安县| 越西县| 乐至县| 新干县| 观塘区| 平原县| 和平县| 武义县| 东兰县| 永平县| 宁陕县| 三穗县| 大冶市| 阿鲁科尔沁旗| 沙雅县| 屏山县| 宣城市| 双柏县| 泰州市| 伽师县| 沅江市| 留坝县| 苏尼特左旗| 北京市| 平陆县| 扎鲁特旗| 仙居县| 无极县| 凤山市| 怀化市|