nand 文章最新資訊

性價比優勢更明顯　TLC NAND應用版圖急擴張

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費性固態硬碟制造商擴大采用比例。　　三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續下滑，各種終端應用如固態硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續成長。　　在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
關鍵字：三星 TLC NAND

EMC：新技術沖擊導致傳統業務節節敗退

　　由EMC公司發布的一份圖表顯示，傳統SAN驅動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現，與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業務則及時趕上，填補了這部分市場空間。　　William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發布了此次會議的內容總結。　　EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調查數據，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統市場的復合年均營收(目前為260億美元)將實現3%增幅。在此期間，“傳統獨立混合系
關鍵字： EMC NAND

大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升

　　中國大陸智能型手機的高成長，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
關鍵字： DRAM NAND Flash

3D NAND堆疊競爭鳴槍　SK海力士、東芝苦追三星

　　為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產系統獨大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠也正加速展開相關技術研發和生產作業。　　據ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發生訊號干擾現象等問題，已進入瓶頸。主要半導體大廠轉而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術。半導體業界的技術競爭焦點從制程微細化，轉變為垂直堆
關鍵字： NAND 三星

美光開放日：引領互聯世界存儲潮流

　　近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發展如何幫助實現未來互聯世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業內專家、學者和媒體共同分享公司在該領域的見解和創新解決方案，探討和展望未來行業發展趨勢。　　美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據整個存儲器22%以上的市場份額，穩居第二位。如今美光科技面向網絡建設、機器對機器、移動設備、云和大數據五大應用領域，提供全球最廣泛的存儲產品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態硬盤、NA
關鍵字：美光存儲器 NAND 201503

美光與希捷宣布成立策略聯盟

　　希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協議，設立一結合兩家公司創新與專業技術之架構。在此協議的架構基礎上，雙方客戶能夠同時受益于領先業界的儲存解決方案，進而更快速且有效率地實現創新。　　盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預期這項長達數年的結盟協議在未來將有機會發展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業級儲存解決
關鍵字：美光希捷 NAND

半導體市場今年迎向高規格之爭

　　2015年由行動裝置帶動的高規格半導體之爭蓄勢待發;行動應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產業成長新動能。　　據韓媒亞洲經濟的報導，智慧型手機的功能高度發展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理
關鍵字：半導體 NAND Flash LPDDR4

NAND閃存下一步指向3D架構14納米

　　存儲是電子產品中最重要的部分之一，它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。近年來，存儲芯片行業熱點話題不斷：3D NAND的生產制造進展情況如何?LPDDR4在市場上的應用進程是怎樣的?移動產品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術發展的路徑或許會爭論不休，但是整體方面卻不會改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節能以及更低的成本。　　2015年手機存儲市場　　著眼用戶體驗提升　　目前業界對于2015年中國智能手機市場走勢的預測很多，總的觀點是增長率放緩。當
關鍵字： NAND 14納米

2014年Q4品牌NAND供應商營收僅成長2%

　　根據市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產銷端的壓力影響營收、及第三季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。　　DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015年第一季整體市況將轉為供過于求，在價格滑落幅度轉趨明顯的情況下
關鍵字： NAND 英特爾三星

淡季影響銷售，NAND Flash 供應商 Q1 將供過于求

　　根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產銷端的壓力影響營收、及第三季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015 年第一季整體市況將轉為供過于求，在價格滑落幅度轉趨明顯的情況下，業者將藉由加速先進制程的轉進，改善成本架構，以減低價格跌幅的沖擊。　
關鍵字： NAND Flash 三星東芝

國際大廠找Mobile RAM貨源　敲開與臺廠合作大門

　　存儲器廠持續在eMCP(eMMC結合MCP封裝)領域擴大進擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。　　半導體業者透露，在三星電子和SK海力士主導下，智能型手機內建存儲器規格從eMMC轉為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
關鍵字： NAND Flash Mobile RAM

NAND Flash價格續滑　難擺脫供給過剩困境

　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應量持續增加，造成價格連續兩個月下滑，業界預期若三星電子(Samsung Electronics)等業者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產比重，后續MLC產品價格下滑情況恐將更明顯。　　根據韓媒DigitalTimes報導，由于USB、硬碟與記憶卡市場進入淡季，加上庫存堆積，導致NAND Flash價格走滑，市場供給過剩情況恐持續到農歷春節。業界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
關鍵字： NAND Flash 三星

無線應用成2015半導體市場最大增長動力

　　2015年全球半導體行業收入預計將達3580億美元，較2014年增長5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長預期。　　半導體市場的增長動力包括智能手機專用標準電路ASSP，以及超移動PC和固態硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。　　“由于DRAM恢復傳統的降價方式，而整個行業需要消耗假期的過多庫存，因此2015年的半導體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩。”業內人士認為，“由于供應短缺，DRAM價格在2014年基本保持堅挺，使之成為2014年增速最
關鍵字：物聯網 DRAM NAND

群聯砸3.8億入股宇瞻

　　儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元，取得宇瞻9.9%股權，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應用固態硬碟(SSD)市場。　　群聯昨股價上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。　　群聯斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權，成為最大法人股東。圖為群聯董事長潘健成。本報系資料庫　　分享　　上述私募價格是采依過去30個交易日均價31
關鍵字：群聯宇瞻 NAND Flash

半導體事業關鍵時刻救了三星的面子與里子

　　三星電子(Samsung Electronics)日前發布2014年第4季暫定財報，營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導體事業暨裝置解決方案(DS)事業部貢獻達一半以上，可說是最大功臣。　　據韓媒ChosunBiz報導，三星電子在1月8日發布2014年第4季暫定財報，業績終于跌回升，營收為52兆韓元，營業利益達5.2兆韓元。　　韓國KDB大宇證券推估，三星電子DS部門第4季貢獻營業利益約2.9兆韓元，比IT暨移動通訊(IM)事業部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業利益(2
關鍵字：蘋果 DRAM NAND Flash

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]