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    mobile dram 文章 最新資訊

    財報分析存儲器疲軟拖累全局產業整合愈加頻繁

    •       存儲器市場的持續低迷,使半導體整體市場表現受到拖累。而業內公司紛紛祭出產業整合的法寶,或斷尾求生,或抱團取暖。總之,當半導體行業再次走出低谷之后,我們又將看到許多陌生的面孔。        最近,全球各大半導體公司陸續公布了2008年第一季度的財報,通過比較各公司的業績表現可以看出:存儲器市場在今年第一季度繼續了去年的頹勢,受此影響,全球半導體市場整體表現欠佳;為了在市場競爭中占據主動,很多企業強調專注于自身最
    • 關鍵字: 存儲器  半導體  DRAM  

    芯片設備業有望迎來新一輪增長周期

    •   《商業周刊》文章指出,經過一年時間的磨難和快速衰退,半導體廠商們有望在2009年迎來新一輪增長周期。   當業內權威人士正在為美國經濟是否已經陷入衰退而爭論不休時,半導體設備廠商們早就經歷了衰退浪潮的侵襲。標準普爾分析師Angelo Zino表示:“芯片設備產業擁有繁榮周期,它早在一年前就已經進入衰退期,2008年的情況也不太樂觀。”   Zino說,預計今年的半導體設備的銷售額將繼續下滑,主要是因為內存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說:“我們
    • 關鍵字: 半導體  DRAM  NAND閃存  

    三星DRAM銷售世界排第一

    •   5月9日消息,周四,韓國的一份產業報告顯示,韓國三星電子公司今年第一季度的DRAM銷售排名世界第一。   據國外媒體報道, 市場研究公司iSuppli表示,三星電子今年1至3月份的DRAM銷售總額為18.1億美元,在同期的全球范圍內DRAM銷售總額中占據30.2%。   該報告稱,這是三星電子的DRAM銷售額連續第二個季度占全球市場30%以上的份額。報告表示,三星電子極好地應對了最近DRAM價格大幅下跌的不利情況。   此外,韓國Hynix半導體公司以11.3億美元的銷
    • 關鍵字: 三星電子  DRAM  

    功耗文化決定設計取向

    •   功耗,人們在不同的語境下討論這一問題:一方面,惜電如金,一方面更加廣泛地利用電能;一方面降低功耗,一方面冷卻用電設備……由此,降低功耗更是設計取向問題。   電子行業的確有兩種功耗文化。在近日美國舊金山舉辦的eSummit2008上,Qimonda(奇夢達)公司的高級市場行銷總監Tom Till認為,應用對功耗的要求存在著相互矛盾的地方,設計者就是在這樣的環境下來研究功耗-性能模型的。一種是盡量降低功耗和相應的成本,當然性能上也降低。另一種是電池供電的情形,即目前的&
    • 關鍵字: 功耗  奇夢達  DRAM  

    T-Mobile:3G版iPhone將很快于奧地利首銷

    •   5月6日消息,據維也納一家報紙報道稱,T-Mobile今天證實蘋果將很快公布3G版iPhone,并表示奧地利客戶將成為新款iPhone的首批客戶之一。   據國外媒體報道稱,奧地利《標準報》(Der Standard)周一援引其德語版網站上的內容報道說,T-Mobile稱3G版iPhone將“很快”上市銷售,奧地利將是首批銷售3G版iPhone的市場之一。   《標準報》還援引T-Mobile發言人卡斯特爾的話報道稱,在推出3G版iPhone時,T-Mobile將同步推出更
    • 關鍵字: T-Mobile  3G  iPhone  

    全球DRAM產業分分合合 結盟變化顯示激烈競爭勢態

    •   日本大廠(Elpida)與德國DRAM大廠(Qimonda)24日宣布,已簽訂共同開發技術合作意向書,攜手開發新世代DRAM技術,不僅宣告溝槽式記憶體陣營將成為過去式,奇夢達也將與力晶化敵為友,與爾必達站在同一陣線力抗業界龍頭韓國三星電子。   這是繼上月初臺塑集團旗下南亞科技宣布將與奇夢達終止合作,轉投美商美光(Micron)陣營后,全球DRAM業又一次勢力大重組。根據DRAM市調機構集邦科技(DRAMeXchange)調查,奇夢達與爾必達去年全球市占率排名分居第三、四名,兩家結盟后市占率25.6
    • 關鍵字: DRAM  奇夢達  爾必達  

    將FPGA/CPLD技術用于防止移動設備盜竊

    全球半導體標準組織委員會會議在上海舉行 推動存儲工業新標準制定

    •   隨著筆記本電腦、手機等移動終端以及家用數碼產品的大規模增長,器的移動性和能耗問題已廣泛受到業界關注。日前,(全球半導體組織)委員會會議在上海舉行,推動存儲工業新標準制定。   在過去五年內,JEDEC曾與中國半導體行業組織合作,促進中國及世界的半導體行業標準。例如中國電子標準協會(CESA),中國半導體行業協會(CSIA)與中國電子標準研究所(CESI)等。   我國企業已占JEDEC會員數的20%,而且數目還在增長。JEDEC本次會議主要研究了DDR3 SDRAM(第三代雙倍速率同步動態隨機存儲
    • 關鍵字: SDRAM  DRAM  

    存儲器兼并大戰開始打響

    •   ?目前全球存儲器市場因供過于求及價格下降過快,已經到了不可收拾的地步。目前唯一的辦法,是讓一家或幾家首先壓縮產能,來緩和供需矛盾,促使存儲器價格的回升。因此業界共識,全球存儲器市場的兼并重組在即。???? ? ????全球存儲器業的震蕩在業界習以為常,中間最大的變化有兩次。一次是上世紀80年代日本依靠嚴格的質量管理等,利用計算機中存儲器的爆炸性應用市場,一舉超過美國成為全球最大的芯片制造地區,市場占
    • 關鍵字: 存儲器  三星  DRAM  

    全鍵盤觸摸屏 索尼愛立信X1采用WM6.5系統

    • 在本次3GSM大展上,索尼愛立信帶給業界最大的震動便是推出了XPERIA系列,其中首款產品X1搭載Windows Mobile操作系統,從此正式加入微軟陣營。不過索尼愛立信發布這款產品雖然標明了將搭載Windows Mobile操作系統,但是并沒有注明版本,這一細節讓很多專業人士認定索尼愛立信將會采用更新性的微軟系統。隨后就有消息曝出稱,索尼愛立信X1將在今年第四季度上市,將搭載Windows Mobile 6.5版操作系統,微軟將在今年第三季度發布這一全新版本的手機操作系統。 圖1索尼愛立信最新發
    • 關鍵字: 3GSM  索尼愛立信  Windows Mobile  

    首款Google Android軟件原型手機在GSMA移動世界大會亮相

    •   第一款采用Google Android軟件的原型手機已經在西班牙巴塞隆納舉行的GSMA移動世界大會亮相。     Google 是在去年11月推出一個開放的開發平臺稱為Android,采用該 Android 軟軟件的手機預計今年底就可上市。Google 先前也宣布了一個Open Handset Alliance (開放手機聯盟),結合34家手機制造商、電信運營商與芯片廠商全面支持Android產品與服務。   此次的展示是在ARM攤位上,ARM技術幾乎運用在目前市面上的所有手機中,該公
    • 關鍵字: Google Android  ARM  Windows Mobile   

    恒憶?(NUMONYX)強勢進軍存儲器市場

    •   2008年4月1日,中國 – 恒憶™(Numonyx B.V)公司今天作為一家全新的半導體公司正式問世。公司主要業務是整合NOR、NAND及內置RAM的存儲器,并利用新型相變移位存儲器(PCM)技術,為存儲器市場開發、提供創新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術專長,在成立之初就成為存儲器市場的領先廠商,專注于存儲器開發制造業務,為手機、MP3播放器、數碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設備等各種消費電子產品制造商提供全方位的服務。 恒憶™將從非易失性存儲器
    • 關鍵字: RAM  NOR  NAND  DRAM  MP3  

    FPGA到高速DRAM的接口設計(04-100)

    •   FPGA做為系統的核心元件正在更多的用于網絡、通信、存儲和高性能計算應用中,在這些應用中都需要復雜的數據處理。   所以,現在FPGA支持高速、外部存儲器接口是必須遵循的。現在的FPGA具有直接接口各種高速存儲器件的專門特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設計。   設計高速外部存儲器接口不是一件簡單的任務。例如,同步DRAM已發展成高性能、高密度存儲器并正在用于主機中。最新的DRAM存儲器—DDR SDRAM,DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達到133MHz(260
    • 關鍵字: Altera  FPGA  DRAM  

    Gartner下調全球半導體市場增長率至3.4%

    •   據報道,在芯片需求走軟價格下跌的情況下,市場調研機構Gartner下修全球IC產業營收增長率至先前預測值的二分之一。   去年12月,Gartner曾預估全球2008年IC市場將有6.2%的增長;但是在最新的預估中,修正至3.4%。   根據Gartner分析,2009-2012年IC市場增長幅度分別為9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。   然而,什么原因使2008年的預估表現下降?Gartner表示,市場中有許多不樂觀的跡象,首當其沖的就是美國經濟的疲軟甚至衰退。  
    • 關鍵字: DRAM  

    基于SRAM和DRAM結構的大容量FIFO的設計

    • 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E,介紹了采用兩種不同的RAM結構,通過CPLD來設計并實現大容量FIFO的方法。
    • 關鍵字: SRAM  DRAM  FIFO  大容量    
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