- 尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導致了熱阻抗的增加，進而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可能利用這些新的可用空間來優化模塊的布局。在這篇文章中，我們將探討如何調整模塊設計來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考，我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200
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英飛凌 IGBT
- 與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關（開通和關斷）損耗，而二極管損耗
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安森美 IGBT
- 對于功率因數校正（PFC），通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風和空調（HVAC）以及熱泵。理論上，在連續導通模式（CCM）下，通過IGBT反向續流永遠不會發生。然而，在輕負載或瞬態條件下，由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振，會有反向電流流過。這個諧振電流，iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓（VCE）可以得出：當輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時（Vin&l
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英飛凌 IGBT CCM模式
- 現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGBT的損耗可以分為開關損耗和導通損耗，其中開關損耗又分為開通和關斷兩部分，下面我分別來看一下各部分的計算推導過程。開關損耗-開通部分我們先來看一下理想的
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英飛凌 IGBT
- 功率半導體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網、軌道交通等，根據每個細分領域性能要求
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功率器件 IGBT MOSFET 國產替代
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
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瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
- 針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環、功率循環，分析結果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。
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IGBT AlN陶瓷基板 金屬化 可靠性應用 202212
- 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代
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功率半導體 MOSFET IGBT
- 近日消息，從東風汽車官方獲悉，東風碳化硅功率模塊項目課題已經順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現量產。IGBT行業的門檻非常高，除了芯片的設計和生產，IGBT模塊封裝測試的開發和生產等環節同樣有著非常高的技術要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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東風 碳化硅 功率模塊 IGBT
- 吉利招標平臺發布了一則《晶能微電子一期工廠改造項目監理工程招標公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開發走向制造晶能微電子一期工廠改造項目租賃樂坤產業園 A-3 的314單元約 5000 平萬米，建設年產60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬級潔凈室及實驗室，1000平方米的動力站，1000 平方米的倉庫及辦公區。本項目位于杭州市余杭區錢江經濟開發區，杭州錢江經濟開發區于2006年3月6日經浙江省人民政府批準設立，是余杭區五大“產業平臺”之一，是連接杭州城東智
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IGBT 功率模塊 吉利
- 半導體周期雖然出現階段性調整，但受益于新能源汽車、新能源發電等需求推動，以IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）為代表的功率器件強勢增長，相關IGBT公司訂單量飽滿，產能供不應求。車規級IGBT持續放量作為IGBT龍頭，斯達半導今年前三季度實現凈利潤達到5.9億元，同比增長1.21倍，增速超過營業收入，銷售毛利率達到41.07%，環比提升。在12月5日斯達半導三季度業績說明會上，公司高管介紹，近幾個季度營收增長主要驅動力來自公司產品在新能源汽車、光伏、儲能、風電等行業持續快速放量，市場份額不斷提高；隨著規模化效應
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半導體 IGBT
- IGBT模塊是新一代的功率半導體電子元件模塊，誕生于20世紀80年代，并在90年代進行新一輪的改革升級，通過新技術的發展，現在的IGBT模塊已經成為集通態壓降低、開關速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩定性好等等眾多特點于一身，而這些技術特點正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動汽車的蓬勃發展帶動了功率模塊封裝技術的更新迭代。目前電動汽車主逆變器功率半導體技術，代表著中等功率模塊技術的先進水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競爭力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
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IGBT 功率模塊 封裝
- 11月25日，時代電氣發布公告稱，公司擬對控股子公司株洲中車時代半導體有限公司（以下簡稱“中車時代半導體”）增資人民幣24.6億元，增資的資金用于中車時代半導體向公司購買汽車組件配套建設項目（包含IGBT項目）部分資產。天眼查顯示，近日，宜興中車時代半導體有限公司成立，注冊資本36億元。該公司由時代電氣、株洲芯連接零號企業管理合伙企業（有限合伙）共同持股，經營范圍包含：半導體分立器件制造；半導體分立器件銷售；工程和技術研究和試驗發展；貨物進出口等。就在今年9月，時代電氣就已投資111億元加速擴產IGBT項
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IGBT 車規級芯片
- 摘 要：介紹了一種純電動汽車用永磁同步電機系統的堵轉控制包含對原理、法規要求過程分析、測試方法及
策略控制應用，通過對永磁同步電機的基本工作原理變換到堵轉的工作原理及帶來的問題的原因，通過建立堵
轉策略及仿真計算開展實施驅動電機和IGBT的溫度保護策略，并確立目標開展對驅動電機和IGBT選型設計，
通過仿真設計校核并通過臺架和整車實車測試驗證設計目標，驗證了系統性能，安全性高，在通過設計對整車
目標進行校核的同時，防止過度開發，降低了系統開發成本。關鍵詞：PMSM；PWM；堵轉；IGBT；載頻0
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202211 PMSM PWM 堵轉 IGBT 載頻
- EconoDUAL?3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器（SVG）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場合。隨著芯片技術的發展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經基于最新的1700V IGBT7技術開發了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產品。本文首先分析了上一代最大電流等級600A的產品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應用，然后介紹了1700V IG
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英飛凌 IGBT
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