- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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IGBT 功率半導體
- Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
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SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅動器，適配單個LV100（三菱）、XHPTM 2（英飛凌）、HPnC（富士電機）以及耐壓高達2300V的同等半導體功率模塊，該模塊適用于儲能系統以及風電和光伏可再生能源應用。該款超緊湊單板驅動器可對逆變器模塊進行主動溫升管理，從而提高系統利用率，并簡化物料清單(BOM)以提高逆變器系統的可靠性。Power Integrations產品營銷經理Thors
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Power Integrations IGBT 門極驅動器
- 本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設計提供實用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅動，包含三相變頻段、柵極驅動器等。設計構思SPM
31 v2 旨在提供封裝緊湊、功耗更低且可靠性更高的模塊。為此，它采用了新型柵極驅動高壓集成電路
(HVIC)、基于先進硅技術的新型絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，以及基于壓鑄模封裝的改進型直接鍵合銅 (DBC)
襯底。與現有的分立方案相比，SPM 31 v2
的電路板尺寸更小，可靠性更高。其目標應用為工業變頻電機驅動，例如商用空調
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功率模塊 指南 IPM 三相電機
- 隨著企業向低碳未來邁進，市場越來越需要更高效的功率半導體。開發功率半導體解決方案的關鍵目標在于，盡量降低系統總成本和縮小尺寸，同時提高效率。于是，智能功率模塊
(IPM) 應運而生，并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結構緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進的控制與監測功能，非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據歐盟統計局數據，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領域，約 80% 的最終能源消耗用于室內和熱水供暖。熱泵（圖
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熱泵 功率半導體 智能功率模塊 IPM
- 當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發了很多，但是有一個模塊需要引起行業內的重視，那就是電機驅動部分，則是電機驅動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了！根據乘聯會數據，2022年6月新能源車國內零售滲透率27.4%，并且2022年6月29日歐盟對外宣布，歐盟27個成員國已經初步達成一致，歐洲
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汽車 電控 IGBT
- 3 月 28 日的發布會上，小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價。同時，雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創始版。創始版除可選標準版及 Max 版基本配置外，還有專屬車標、配件等權益。由于提前生產，不可選配，故相關車型可最先交付，而非創始版的小米 SU7 標準版與 Max 版于 4 月底啟動交付，Pro 版在 5 月底啟動交付。幾天后的 4 月 3 日，小米汽車創始版迎來首批交付。在北京亦莊小米汽車工廠總裝車間的交付現場，雷軍親手將車交給車主并和車主合影留念，再揮手目送每位車主離開。
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IGBT
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
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雜散電感 SiC IGBT 開關特性
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環路電感分析）測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析S
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IGBT SiC 開關特性
- 熱泵是一種經過驗證的、提供安全且可持續供暖的技術，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術。盡管逆循環熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平，因此在節能方面具有巨大的潛力。系統目標熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產生的碳排放的主要途徑。此
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熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
- 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動器作為優選解決方案，在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優質性能。選擇正確的柵極驅動器對于實現最佳功率轉換效率非常重要。隨著SiC技術得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
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STGAP MOSFET IGBT 驅動器 電氣隔離
- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。 根據其分別可支持的開關速度，BIPOLAR適用于中速開關，MOSFET則適用于高頻領域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過
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功率半導體 IGBT
- IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。理想等效電路與實際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性（開關特性）。動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：IGBT的開通過程IGBT 在開通過程中，
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IGBT 電路設計 驅動電路
- 在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯的，可靠性體現為在產品預期壽命內的長期質量表現。任何制造商要想維續經營，必須確保產品達到或超過基本的質量標準和可靠性標準。安森美 (onsemi) 作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環境下運行的產品，且這些產品達到了高品質和高可靠性。人們認識到，為實現有保證的質量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過測試確保質量”方法，轉而擁抱新的“通過設計確保質量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來達到最終的質量和可靠性水
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IGBT 可靠性 測試
- 01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以
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IGBT 晶體管 基礎知識
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