從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態系統中，迫使 AI 芯片、用于創建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOLT、TO-247和T
EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉換器和電力推進系統而設計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
麻省理工學院和其他地方的研究人員開發了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術能夠降低整個系統的溫度。研究人員使用這種
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