AbstractTXB0104是應用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC
(嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉換芯片。當系統的軟件資源配置不足，需要電平轉換芯片自己識別信號傳輸方向的時候，需要注意外部硬件設計，不然可能會出現掛載時好時壞的失效情況。問題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為TXB0104工作異常。實測中發現如圖中線路所示：1.只有D0通道無信號，因為將D0數據線由主芯片（AM3352）側飛線到EMMC，D0開始傳輸數據信號，eMMC掛載正常
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自動檢測 IC TXB0104 電平 轉換端口
宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動器和通過車規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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EPC GaN FET 激光二極管
消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數電子產品轉向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優勢。在過去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術的發展，交流/直流拓撲
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TI GaN 電源拓撲
美國新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運動控制和節能系統傳感技術和功率半導體解決方案的全球領導廠商Allegro MicroSystems（納斯達克股票代碼：ALGM）（以下簡稱Allegro）宣布推出高壓電源產品組合中的第二款產品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅動器?IC 增加了重要的安全功能，同時簡化了電動汽車和清潔能源應用（包括?OBC/DC-DC、太陽能逆變器和數據中心電源）中大功率能源轉換系統的設計。Allegro 副總裁兼
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Allegro Power-Thru IC 隔離柵極驅動器
2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議，根據該協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，較Transphorm在2024年1月
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瑞薩 Transphorm GaN
近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛星通信、微波加熱、等離子體處理等領域，該研究成果已發表在“Small”雜志上。隨著半導體技術不斷發展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業界試圖通過新一代材料解決上述問題。據悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學的科學家們成
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GaN 散熱能力
盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫療系統就屬于這類應用。相反，設備通常必須直接通過 AC 線路運行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規范外，醫用電源產品還必須符合監管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現故障時，也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時，醫療電源的設計者必須不斷提地
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DigiKey GaN AC/DC
高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
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TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術交流、討論氮化鎵技術及其應用場景的最新發展。氮化鎵技術正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括：推動人工智能
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宜普電源 CES 2024 氮化鎵 GaN
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
2023年11月16日消息，隨著汽車的互聯性不斷提高、技術日益先進，對加強安全措施的需求也隨之增加。各國政府和汽車OEM最新的網絡安全規范開始包含更大的密鑰尺寸和愛德華曲線ed25519算法標準（Edwards Curve ed25519）。為此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任錨點安全IC（Trust Anchor Security IC） TA101，可滿足復雜的汽車和嵌入式安全用例。TA101 支持高達 ECC P521、SHA512、R
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Microchip TrustAnchor IC 汽車安全認證
在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
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GaN 寬禁帶 SiC
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產創新、用于陽臺的小型發電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開關應用至關重要，同時在緊湊的封裝中實現100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環路和最大限度地減少EMI。
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Efficient Energy Technology EET SolMate EPC 氮化鎵器件 GaN
Microchip Technology Inc.安全及計算產品部市場經理Xavier Bignalet如果您對單個配件的身份驗證、規范化電子配件生態系統的構建或一次性用品的假冒偽劣處理感興趣，歡迎閱讀本篇博文。我們將介紹最新推出的高性價比安全身份驗證IC?？纯此鼈兲峁┝四男┌踩匦詠韼椭鷮崿F反威脅模型。面向一次性用品和配件生態系統的成本優化型安全身份驗證 IC不知您是否有注意到，其實我們每天都在經歷著各種安全身份驗證過程。例如，當您發送電子郵件、將手機插入充電器或打印文檔時，后臺都有在進行身份驗證。本
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Microchip MCU IC
RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天，有一些技術使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優勢。我們將在下
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Qorvo GaN 功率放大器
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