2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計?！ ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內部集成
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TI領先的功率密度、全新架構與高度集成幫助工程師解決企業服務器的設計難題，降低總所有成本
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經晶圓廠認證的全生命周期可靠性簽核有助于預防汽車、醫療和5G芯片設計中的過度設計和昂貴的后期ECO（工程變更指令） 要點： ? 經過驗證的技術統一工作流程在整個產品生命周期內提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業界領先的仿真器進行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設計環境整合
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TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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原標題：多家IC設計廠商證實：收到臺積電漲價通知 強調不影響合作關系 8月25日，市場幾度傳出臺積電即將全線漲價，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進制程漲幅達10%，到全面漲價20%，并從即日起生效。 對此，據中央社報道，多家IC設計廠商證實收到臺積電漲價通知，并表示不會因而影響與臺積電的合作關系?！ C設計業者指出，臺積電包含7納米及5納米的先進制程漲價約7%至9%，其余成熟制程代工價格漲幅約20%?！ 〈送?，臺積電罕見未給客戶緩沖期，今天通知漲價隨即于今天生效，供應鏈也緊急尋求因應
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氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產業專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會率先用到氮化鎵呢？
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財聯社6月24日訊，據媒體報道，IC設計業者透露，明年初晶圓代工價格已經敲定，不僅聯電8英寸和12英寸的晶圓代工價格續漲，晶圓代工龍頭臺積電也漲價，部分8英寸和12英寸制程價格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發言窗口表示，不評論價格問題。
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空間應用電源需要在抗輻射技術環境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）獲得了商業航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件，包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、電
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據WSTS統計，21Q1全球半導體市場銷售值1,231億美元，較上季(20Q4)成長3.6%，較2020年同期(20Q1)成長17.8%；銷售量達2,748億顆，較上季成長4.9%，較去年同期成長22.7%；ASP為0.448美元，較上季衰退1.2%，較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區域市場方面，中國大陸市場銷售值成長幅度最高，較上季(20Q4)成長8.9%，達到434億美元，較去年同期(20Q1)成長25.6%；歐洲市場次之，較上季(20Q4)成長8.8%，達到110億美元，較去年同期成長8.7%；
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德州儀器(TI)今日宣布與中國領先的軌道交通設備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯合設計實驗室，實現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產品和技術，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應用設計以助力中國新基建關鍵領域建設。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應用，以響應中國在2060年實現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統的快速
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基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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南方科技大學深港微電子學院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點實驗室，圍繞中國半導體產業鏈，培養工程專業人才，搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區乃至全國的集成電路產業發展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產業推廣和人才培養成績斐然，在國產芯片發展浪潮中引人矚目。
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近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計算機服務器、電信設備、燈具和消費電子等各種應用場景。諧振變換器可以很容易地實現高能效，其固有的較寬的軟開關范圍很容易實現高頻開關，這是一個關鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
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西門子數字化工業軟件宣布與日月光（ASE）合作推出新的設計驗證解決方案，旨在幫助雙方共同客戶更便捷地建立和評估多樣復雜的集成電路（IC）封裝技術與高密度連接的設計，且能在執行物理設計之前和設計期間使用更具兼容性與穩定性的物理設計驗證環境。新的高密度先進封裝（HDAP）支持解決方案源于日月光參與的西門子半導體封裝聯盟 （Siemens OSAT Alliance），該聯盟旨在推動下一代IC設計更快地采用新的高密度先進封裝技術，包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圓級封裝（FOWLP）。日月光是半導體封裝和測
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