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    arrhenius 文章 最新資訊

    電子元件老化——電阻和運(yùn)算放大器的老化效應(yīng)

    • 使用溫度計(jì)算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為,以了解電阻器漂移、電阻器穩(wěn)定性和運(yùn)算放大器漂移。之前,我們討論了使用相對(duì)較短的測(cè)試時(shí)間來評(píng)估電子元件長(zhǎng)期穩(wěn)定性的高溫加速老化方法。在本文中,我們將繼續(xù)討論并研究電阻器和放大器的老化行為。老化預(yù)測(cè)——老化引起的電阻漂移首先,讓我們記住電阻器的值會(huì)隨著時(shí)間而變化。在許多電路中,只需要總的精度,電阻器老化可能不是一個(gè)嚴(yán)重的問題。然而,某些精密應(yīng)用需要在指定壽命內(nèi)長(zhǎng)期漂移低至百萬分之幾的電阻器。因此,開發(fā)具有足夠精度的老化預(yù)測(cè)模型以確保所采用的精密
    • 關(guān)鍵字: 電子元件老化,電阻,運(yùn)算放大器,老化效應(yīng),Arrhenius  

    基于Arrhenius模型快速評(píng)價(jià)功率VDMOS可靠性

    • 0 引言  垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場(chǎng)(VDMOS)效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導(dǎo)體電力器件的代表[1]。與功率晶體管相比,具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)電流小、動(dòng)態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點(diǎn)。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在
    • 關(guān)鍵字: Arrhenius  VDMOS  模型  可靠性    
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    arrhenius介紹

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