- 巴斯夫與歐洲領先的獨立納米技術研究機構比利時弗拉芒校際微電子研究中心(IMEC)今天宣布繼續拓展聯合研發項目。作為進一步合作的領域之一，雙方計劃研發工藝化學品，這將提高半導體生產中的清洗化學品的性能。研究工作的另一個重點是降低生產工藝復雜性及減少生產步驟。
聯合研發下一階段將專注于選擇性清洗技術，這一技術將推動以22納米技術為基礎的新一代芯片的開發。這些解決方案將用于集成電路生產的第一個部分，即“前段制程”(FEOL)，此時個別組件(如晶體管)將被固定在半導體上。重要的是
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- Esanti 標志著SEZ面向FEOL戰略發展藍圖又邁出了至關重要的一步 SEZ（瑟思）集團 (瑞士股票交易市場SWX代碼：SEZN)于宣布了公司面向前段工藝過程（FEOL）中清洗和光阻剝離工藝的Esanti平臺。極其靈活的Esanti平臺充分利用了SEZ集團久經考驗的專業技術單晶圓濕式處理技術，旨在滿足45納米及其更低尺寸的芯片制造中前段工藝過程的清洗衍變需求。它構筑于公司的核心旋轉處理器技術之上，增加了新的功
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feol介紹
FEOL就是制程的前道，形成Device
feol特指那些形成活性電性部件之前的生產步驟。在這些步驟中，晶片表面尤其是mos器件的柵區域，是暴露的、極易受損的。在這些清洗步驟中，一個極其關鍵的參數是表面粗糙度。過于粗糙的表面會改變器件的性能，損害器件上面沉積層的均勻性。表面粗糙度是以納米為單位的表面縱向變差的平方根（nmrms）。
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