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    5nm 文章 最新資訊

    后張忠謀時代,臺積電面臨諸多挑戰(zhàn)

    • 張忠謀在當(dāng)下選擇退休可謂急流勇退,在臺積電正處于巔峰的時候退休是恰當(dāng)?shù)臅r機,但臺積電面臨挑戰(zhàn)其實在張忠謀領(lǐng)導(dǎo)下就已出現(xiàn)。
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    Synopsys數(shù)字和模擬定制設(shè)計平臺通過TSMC 5nm工藝技術(shù)認(rèn)證

    •   全球第一大芯片自動化設(shè)計解決方案提供商及全球第一大芯片接口IP供應(yīng)商、信息安全和軟件質(zhì)量的全球領(lǐng)導(dǎo)者Synopsys近日宣布, Synopsys 設(shè)計平臺獲得TSMC最新版且最先進的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證,可用于客戶先期設(shè)計。通過與TSMC的早期密切協(xié)作,IC Compiler ? II 的布局及布線解決方案采用下一代布局和合法化技術(shù),最大限度地提高可布線性和總體設(shè)計利用率。借助重要的設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化工作,通過使用PrimeTime?Signoff和StarRC?提取技術(shù)實現(xiàn)ECO閉合,IC Compil
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    才攻破7nm 三星宣布5nm、4nm、3nm工藝,直逼物理極限!

    • 這兩年,三星電子、臺積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔,雖然有技術(shù)之爭但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭的事實。
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    臺積電5nm將開工 中國芯何時突破重圍?

    • 隨著5nm工藝制造難度的增加,臺積電以及三星電子等巨頭研發(fā)所耗費的時間勢必會增加不少,這也為中芯國際彎道超車提供了一定的機遇。
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    臺積電5nm工廠本周破土:2020年開工3nm

    •   據(jù)臺灣媒體報道,臺積電將于本周在臺灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)開工建設(shè)新的5nm工廠,并將于2020年啟動3nm工廠,而新工藝的快速演進將大大鞏固臺積電一號代工廠的地位。   臺積電董事長張忠謀會出席奠基儀式,這也將是他在今年6月份退休之前,最后一次參加這類活動。   目前,臺積電正在積極準(zhǔn)備量產(chǎn)7nm,預(yù)計第二季度即可實現(xiàn)、第四季度火力全開。   更關(guān)鍵的是,臺積電已經(jīng)壟斷了7nm代工市場,收獲了100%的訂單,包括高通驍龍855、蘋果A12等重磅大單,徹底擊敗三星。   根據(jù)路線圖,臺積
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    5nm工藝可能無法實現(xiàn)?存儲器除了3D NAND還有其他選擇?看這4個技術(shù)老兵怎么說

    •   5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。   近日,外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響,專家團成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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    ?沒有EUV 半導(dǎo)體強國之夢就「難產(chǎn)」?

    • 一時之間,仿佛EUV成為了衡量中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的標(biāo)桿,沒有EUV就無法實現(xiàn)半導(dǎo)體強國之夢?
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    Imec:下一代 5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制

    •   根據(jù)比利時研究機構(gòu)Imec指出,設(shè)計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層),讓摩爾定律(Moore‘s Law)擴展到超越5納米(nm)節(jié)點。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。   Imec展示的研究計劃專注于實現(xiàn)高性能邏輯應(yīng)用的場效電晶體(FET),作為其Core CMOS計劃的一部份。Imec及其合作伙伴分別在材料、元件與電路層級實現(xiàn)協(xié)同最佳化,證實了在傳
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    下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制?

    •   Imec 開發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構(gòu),證實采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點…   根據(jù)比利時研究機構(gòu)Imec指出,設(shè)計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層),讓摩爾定律(Moore's Law)擴展到超越5納米(nm)節(jié)點。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。      Imec開發(fā)的下一代5nm 2D通道
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    IBM和三星推出5nm工藝,為摩爾定律+1s

    •   上周,Nvidia CEO黃仁勛在臺北電腦展上表示摩爾定律已死(黃仁勛說摩爾定律已死,Nvidia要用人工智能應(yīng)對),不過IBM和三星有不同意見。   雷鋒網(wǎng)消息,日前,IBM聯(lián)合三星宣布了一項名為nanosheets的晶體管制造技術(shù)。該技術(shù)拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的 FinFET 架構(gòu),采用全新的四層堆疊納米材料。這項技術(shù)為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎(chǔ)。IBM表示,借助該項技術(shù),芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里,塞下將近300億個晶體管。要知道,高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835,也才不過集
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    IBM三星攜手研發(fā)5nm芯片:成本更低、性能更強

    •   據(jù)外媒報道,三星聯(lián)合 IBM 日前宣布了一項名為 nanosheets 的技術(shù)。得益于該技術(shù),芯片制造商能夠?qū)⒏嗟木w管容納到更小的芯片組里,他們宣稱在 5nm 芯片可以實現(xiàn)在指甲蓋大小中集成 300 億顆晶體管,而當(dāng)前 10nm 的驍龍 835 僅僅集成的晶體管數(shù)量約為 30 億。   IBM 稱,同樣封裝面積晶體管數(shù)量的增大有非常多的好處,比如降低成本、提高性能,而且非常重要的一點是,5nm 加持下,現(xiàn)有設(shè)備如手機的電池壽命將提高 2 至 3 倍。早在 2015 年,IBM 就攜手 Glo
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    臺積電2019年上半年試產(chǎn)5nm制程

    •   晶圓代工龍頭臺積電年度股東常會將于6月8日登場,并于今(24)日上傳致股東報告書,當(dāng)中揭露先進制程技術(shù)最新進展,其中,7納米已在今年4月開始試產(chǎn),預(yù)期良率改善將相當(dāng)快速,5納米則維持原先計劃,預(yù)計2019年上半年試產(chǎn)。   臺積電董事長張忠謀指出,去年間與主要客戶及硅智財供應(yīng)商攜手合作完成7納米技術(shù)硅智財設(shè)計,并開始進行硅晶驗證,按照計劃在今年4月試產(chǎn)。   5納米部分,張忠謀表示,規(guī)劃使用極紫外光(EUV)微影技術(shù),以降低制程復(fù)雜度,制程技術(shù)預(yù)計2019年上半年試產(chǎn)。   10納米部分則是已在
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    10nm芯片未至 臺積電5nm真能如期而來嗎?

    • 回顧臺媒的這些宣傳,只是讓大家對臺媒在宣傳中國臺灣的高科技企業(yè)的先進技術(shù)研發(fā)進展時,要進行思考,而不是完全相信,先進技術(shù)研發(fā)需要大量人力物力,并非一朝一夕可以取得領(lǐng)先優(yōu)勢。
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    臺積電5nm 估2019年完成技術(shù)驗證

    •   臺積電物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)開發(fā)處資深處長王耀東表示,未來臺積電成長動能來自于高階智慧型手機、高效運算晶片、物聯(lián)網(wǎng)及車用電子。而臺積電在10奈米技術(shù)開發(fā)如預(yù)期,今年底可以進入量產(chǎn),第一個采用10奈米產(chǎn)品已達(dá)到滿意良率,目前已經(jīng)有三個客戶產(chǎn)品完成設(shè)計定案,預(yù)期今年底前還有更多客戶會完成設(shè)計定案,該產(chǎn)品在明年第1季開始貢獻(xiàn)營收,且在2017年快速提升量產(chǎn)。   7奈米部分,臺積電該部分進度優(yōu)異,7奈米在PPA及進展時程均領(lǐng)先競爭對手,兩個應(yīng)用平臺高階智慧型手機及高效運算晶片客戶都積極采用臺積電7奈米先進制程技術(shù),且
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    【IITC/AMC 2016】5nm工藝IC布線技術(shù)發(fā)展方向明確

    •   由IEEEElectronDeviceSociety主辦的半導(dǎo)體互連(布線)技術(shù)相關(guān)國際會議“IEEEInternationalInterconnectTechnologyConference(IITC)2016”于5月23~26日在美國圣荷西舉辦。這是該會議時隔兩年再次回到美國,共有超過230人參加,展開了積極的討論。   IITC2016的論文數(shù)量為一般口頭演講(包括主題演講)45件,展板發(fā)表33件。一般演講按領(lǐng)域劃分,涵蓋硅化物的“MUP(Materials
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