- 據報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產。
此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內存芯片。根據iSuppli的統計，1Gb DDR3內存芯片的市場份額已經達到了87%，更高密度的內存芯片將在2011年成為市場上的主流。
根據海力士的介紹，數據中心、服務器、超級計算機或
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海力士 內存芯片 54nm DDR3
- 茂德電子(Promos)23日向臺灣證交所提報了一份聲明，聲明稱茂德與海力士間有關54nm制程內存芯片制造技術的合作協議已宣告中止。業內人士認為此舉意味著茂德將轉而投入爾必達以及即將成立的TMC臺灣內存公司的懷抱。茂德發言人稱，與海力士間54nm制程技術合作關系的結束并不會影響到兩家公司在現有主流制程技術方面的合作關系，不過他并沒有對此作詳細說明。
2005年，茂德在海力士的幫助下成功轉向90nm制程技術，2007年又在其協助下轉換為70nm制程。不過按此前的報道，茂德在轉向54nm制程的過程中
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茂德 內存芯片 54nm 90nm
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