3nm gaa 文章 最新資訊
臺積電 3nm 工藝步入正軌，2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節(jié)點(diǎn)
- IT之家 5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術(shù)研討會，表示其 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)已步入正軌，N3P 節(jié)點(diǎn)將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點(diǎn)，進(jìn)一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節(jié)點(diǎn)良率進(jìn)一步提高，已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關(guān)報(bào)道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質(zhì)量驗(yàn)證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學(xué)微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設(shè)計(jì)規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
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瞄準(zhǔn)AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠制程升級至2nm
- 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計(jì)劃的3nm升級為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計(jì)劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會議上也作出了回應(yīng)，他表示是為了支持AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求。在OpenAI訓(xùn)練
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報(bào)道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計(jì)劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷，導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報(bào)道詳細(xì)指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題，未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機(jī)的生產(chǎn)計(jì)劃，還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計(jì)劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu)，升級之處在于將采用全新的
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號
- 2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報(bào)道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報(bào)道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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臺積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)
- 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝，計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備，以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。臺積電進(jìn)入GAA時代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱，位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程，并正在進(jìn)行無塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動設(shè)備安裝工作，相關(guān)動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預(yù)定
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特斯拉明年將采用臺積電3nm芯片
- 據(jù)外媒，除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾、高通外，特斯拉也已確認(rèn)參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計(jì)定案（New Tape-Outs，NTOs）。報(bào)道稱，特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解，臺積電N3P工藝計(jì)劃預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo)，以及技術(shù)成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
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天璣9400繼續(xù)采用全大核架構(gòu) 外加N3E工藝加持
- 11月6日，聯(lián)發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創(chuàng)新，取消了低功耗核心簇，轉(zhuǎn)而采用“全大核”架構(gòu)，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達(dá)3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題，但聯(lián)發(fā)科予以否認(rèn)并聲稱其性能表現(xiàn)出色。近期有爆料稱聯(lián)發(fā)科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續(xù)采用“全大核”架構(gòu)。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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臺積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單
- 臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶，但臺積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此，三星也打算透過低價(jià)策略搶市，與臺積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo)，三星雖在3納米就開始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時間也比臺積電早數(shù)個月，但在良率與技術(shù)上無法獲得客戶青睞，蘋果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺積電手上，臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)
- 日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點(diǎn)測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級半導(dǎo)體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導(dǎo)體器件正變得越來越小型化和復(fù)雜化，并有助
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消息稱高通、聯(lián)發(fā)科明年導(dǎo)入 3nm，預(yù)估臺積電 2024 年底月產(chǎn)能可達(dá) 10 萬片
- IT之家 11 月 22 日消息，臺積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個客戶在用，那就是蘋果。根據(jù)中國臺灣《工商時報(bào)》的消息，目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬美元（IT之家備注：當(dāng)前約 14.3 萬元人民幣） ，而良率為 55%，所以目前只有蘋果一家愿意且有能力支付，而且蘋果目前也預(yù)訂了臺積電今年大部分 3nm 產(chǎn)能。隨著 3nm 代工產(chǎn)能拉升，臺積電 3nm 產(chǎn)能今年底有望達(dá)到 6～7 萬片，全年?duì)I收占比有望突破 5％，明年更有機(jī)會達(dá)到 1 成。據(jù)稱，在英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科
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蘋果發(fā)布M3系列芯片：3nm工藝 支持光追提升GPU性能
- 10月31日消息，蘋果舉行新品發(fā)布會，線上發(fā)布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎(chǔ)款同時公布，蘋果官方在發(fā)布會中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當(dāng)前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比
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三星、臺積電3nm良品率均未超過60% 將影響明年訂單競爭
- 作為當(dāng)前全球最先進(jìn)的制程工藝，臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn)，其中三星電子是在6月30日開始量產(chǎn)，臺積電則是在12月29日開始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報(bào)道來看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰(zhàn)。此前預(yù)計(jì)三星的良品率在今年將超過60%，臺積電的良品率在8月份時就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達(dá)到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認(rèn)為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。3n
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GAA技術(shù)才開始，半導(dǎo)體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)
- 外媒eNewsEurope報(bào)道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進(jìn)展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進(jìn)制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實(shí)現(xiàn)更高的密度。該項(xiàng)技術(shù)最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進(jìn)晶體管技術(shù)。英特爾表示，研究員建構(gòu)一個單片3DCFET，
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三星和臺積電均遭遇難題：在3nm工藝良品率上掙扎
- 目前三星和臺積電（TSMC）都已在3nm制程節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，前者于2022年6月宣布量產(chǎn)全球首個3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動3nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)，蘋果最新發(fā)布的iPhone 15 Pro系列機(jī)型上搭載的A17 Pro應(yīng)用了該工藝。據(jù)ChosunBiz報(bào)道，雖然三星和臺積電都已量產(chǎn)了3nm工藝，不過兩者都遇到了良品率方面的問題，都正在努力提高良品率及產(chǎn)量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術(shù)，而臺積電沿用了原有的FinFET晶體管技術(shù)，無論如何取舍和選
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?3nm工藝意味著什么？
- 這些 3nm 芯片是什么？
- 關(guān)鍵字： 3nm
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