3d ic 文章 最新資訊
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險(xiǎn)操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運(yùn)效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
- 關(guān)鍵字： Zivid 3D 機(jī)器人
2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū)，而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外，KnometaResearch預(yù)計(jì)，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長率為4.5%，2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
3D NAND，1000層競爭加速！
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局
- 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲
模擬: 對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析
- AbstractTXB0104是應(yīng)用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉(zhuǎn)換芯片。當(dāng)系統(tǒng)的軟件資源配置不足，需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識別信號傳輸方向的時(shí)候，需要注意外部硬件設(shè)計(jì)，不然可能會出現(xiàn)掛載時(shí)好時(shí)壞的失效情況。問題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為TXB0104工作異常。實(shí)測中發(fā)現(xiàn)如圖中線路所示：1.只有D0通道無信號，因?yàn)閷0數(shù)據(jù)線由主芯片（AM3352）側(cè)飛線到EMMC，D0開始傳輸數(shù)據(jù)信號，eMMC掛載正常
- 關(guān)鍵字： 自動檢測 IC TXB0104 電平 轉(zhuǎn)換端口
Allegro MicroSystems推出雙極輸出Power-Thru IC,擴(kuò)展隔離柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合
- 美國新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運(yùn)動控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感技術(shù)和功率半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（納斯達(dá)克股票代碼：ALGM）（以下簡稱Allegro）宣布推出高壓電源產(chǎn)品組合中的第二款產(chǎn)品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅(qū)動器?IC 增加了重要的安全功能，同時(shí)簡化了電動汽車和清潔能源應(yīng)用（包括?OBC/DC-DC、太陽能逆變器和數(shù)據(jù)中心電源）中大功率能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。Allegro 副總裁兼
- 關(guān)鍵字： Allegro Power-Thru IC 隔離柵極驅(qū)動器
300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
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