高性能計算和人工智能正在形成推動半導體行業飛速發展的雙翼。面對摩爾定律趨近極限的挑戰，3DIC Chiplet先進封裝異構集成系統越來越成為產業界矚目的焦點。這種創新的系統不僅在Chiplet的設計、封裝、制造、應用等方面帶來了許多突破，同時也催生了全新的Chiplet EDA平臺，共同為創造下一代數字智能系統賦能。芯和半導體，作為國內首家推出“3DIC Chiplet先進封裝設計分析全流程”EDA平臺的EDA公司，在10月25日上海舉辦了2023芯和半導體用戶大會，總規模超過600人。大會以“極速智能，
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2023芯和半導體用戶大會以“極速智能，創見未來”為主題，以“系統設計分析”為主線，以“芯和Chiplet
EDA設計分析全流程EDA平臺”為旗艦，包含主旨演講和技術分論壇兩部分，主題涵蓋芯片半導體與高科技系統領域的眾多前沿技術、成功應用與生態合作方面的最新成果。
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●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產品增添了新成員，現推出面向汽車和工業應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業自動化。2020年全球疫情爆發，隔離政策改變人們的消費模式與型態，導致電商與物流倉儲業出現爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產生缺工問題，加速物流倉儲行業自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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半導體周要聞2023.9.28-2023.10.61. 英特爾決戰2nm，4年追趕5代制程，與臺積電維持競合關系明年底，英特爾將推進至18Ａ制程，挑戰臺積電2nm制程，并將用于2025年推出的服務器處理器產品上。英特爾認為，屆時將用比超微更佳的制程奪回市場。臺積電則預計于2025年量產2nm制程芯片?；粮裥嬗⑻貭栂乱淮瞥?0Ａ將在明年上半年推出。A代表埃米，一埃米是10分之1nm，20Ａ代表的即是2nm制程。由于電晶體的體積極小，因此，英特爾將改采用GAA（閘極全環電晶體）技術設計的新型電晶體「Ri
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英特爾 CEO 帕特·基辛格：英特爾正在開創人工智能電腦的新時代。
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IT之家 9 月 20 日消息，英特爾 CEO 帕特?基辛格 (Pat Gelsinger) 在 Innovation 2023 活動上展示了全球首款基于 UCIe 連接 Chiplet（芯粒）的處理器。這顆代號為“Pike Creek”的測試芯片薈聚了兩大代工廠最尖端工藝，包括基于 Intel 3 工藝的 Intel UCIe IP 小芯片，以及 TSMC N3E 的 Synopsys（新思科技）UCIe IP 小芯片，兩個小芯片之間則通過英特爾 EMIB 接口進行通信。UCIe（U
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近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
Chiplet 使英特爾 PSG 能夠為其 FPGA 添加許多新功能
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高性能FPGA芯片和嵌入式FPGA IP（eFPGA?IP）領域內的先鋒企業Achronix半導體公司日前宣布：為幫助用戶利用先進的Speedcore eFPGA IP來構建先進的chiplet解決方案，公司開通專用網頁介紹相關技術，以幫助用戶快速構建新一代高靈活性、高性價比的chiplet產品， chiplet設計和開發人員可以透過該公司網站獲得有關Speedcore eFPGA IP的全面支持。中國客戶亦可以通過Achronix在中國的服務團隊得到同樣的支持。Speedcore??
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Achronix FPGA Chiplet
動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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