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    2nm! 文章 最新資訊

    臺(tái)積電年末試產(chǎn)2nm工藝!蘋果芯片又要遙遙領(lǐng)先了

    • 雖然目前來看2025年還早,但是隨著時(shí)間的推移,蘋果下一代芯片已經(jīng)在路上了。據(jù)報(bào)道,蘋果芯片供應(yīng)商臺(tái)積電正在制造2nm和1.4nm芯片方面取得進(jìn)展,這些芯片很可能用于未來幾代蘋果芯片——最早可能搭載于2025年秋發(fā)布的iPhone 17 Pro上。根據(jù)目前已知的消息,2nm和1.4nm芯片的量產(chǎn)時(shí)間顯然已經(jīng)確定。2nm節(jié)點(diǎn)將于2024年下半年開始試生產(chǎn),小規(guī)模生產(chǎn)將于2025年第二季度逐步推進(jìn)。值得注意的是,臺(tái)積電位于亞利桑那州的新工廠也將加入2nm生產(chǎn)的行列。而在更遠(yuǎn)期的2027年,臺(tái)灣的工廠將開始轉(zhuǎn)向
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    iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺(tái)積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定

    • 4月11日消息,根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺(tái)積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解,臺(tái)積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始,而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是,臺(tái)積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺(tái)積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn),這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺(tái)積電最新的工藝制程很可能會(huì)由蘋果率先采用。按照臺(tái)積電的量產(chǎn)時(shí)間表,iPhone 17 Pro將成為首批
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    Marvell宣布與臺(tái)積電合作2nm生產(chǎn)平臺(tái)

    • 據(jù)Marvell(美滿電子)官方消息,日前,Marvell宣布與臺(tái)積電擴(kuò)大合作,共同開發(fā)業(yè)界首款針對(duì)加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的2nm芯片生產(chǎn)平臺(tái)。據(jù)悉,Marvell將與臺(tái)積電協(xié)作提升芯片性能和效率,投資于互連和高級(jí)封裝等平臺(tái)組件,從而降低多芯片解決方案的成本,加快相關(guān)芯片上市時(shí)間。Marvell首席開發(fā)官 Sandeep Bharathi 表示,未來的人工智能工作負(fù)載將需要在性能、功率、面積和晶體管密度方面取得顯著的進(jìn)步。2nm 平臺(tái)將使 Marvell 能夠提供高度差異化的模擬、混合信號(hào)和基礎(chǔ) IP,以構(gòu)建能
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    2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響!三星2nm時(shí)間表公布

    • 2月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星計(jì)劃明年在韓國開始2nm工藝的制造,并且在2047年之前,三星將在韓國投資500萬億韓元,建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠,將進(jìn)行2nm制造。據(jù)悉,2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破,它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹W鳛槿亲畲蟮母偁帉?duì)手,臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié),臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái),引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。臺(tái)積電推出的采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程技術(shù),在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%,在相
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    三星與臺(tái)積電據(jù)悉都將從2025年開始投入2nm制程量產(chǎn)

    • 2月5日消息,三星與臺(tái)積電據(jù)悉都將從2025年開始投入2nm制程量產(chǎn)。此前,韓國政府1月中旬表示,三星公司計(jì)劃到2047年在首爾南部投資500萬億韓元建設(shè)“超大集群”半導(dǎo)體項(xiàng)目,將重點(diǎn)生產(chǎn)先進(jìn)產(chǎn)品,包括使用2nm工藝制造的芯片。
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    臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)

    • 臺(tái)積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后,研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝,計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備,以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。臺(tái)積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利,最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱,位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程,并正在進(jìn)行無塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設(shè)備安裝工作,相關(guān)動(dòng)線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片,中科二期則視需求狀況預(yù)定
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    英特爾拿到首臺(tái)2nm光刻機(jī) 重回領(lǐng)先地位?

    • 12月21日,荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML通過社交媒體宣布,其首套高數(shù)值孔徑極紫外(High-NA EUV)光刻機(jī)正從荷蘭Veldhoven總部開始裝車發(fā)貨,將向英特爾進(jìn)行交付。數(shù)值孔徑(NA)是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo),直接決定了光刻的實(shí)際分辨率和最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。
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    日本佳能:我們能造2nm芯片!不需要ASML光刻機(jī)

    • 日本光刻機(jī)大廠佳能(Canon)在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓印(Nanoprinted lithography,NIL)設(shè)備FPA-1200NZ2C之后,佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫近日在接受采訪時(shí)再度表示,該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟一條道路,使得生產(chǎn)先進(jìn)芯片的技術(shù)不再只有少數(shù)大型半導(dǎo)體制造商所獨(dú)享。納米壓印技術(shù)并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上,而是更類似于印刷技術(shù),直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次,就可以在特定的位置
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    臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)

    • IT之家 12 月 14 日消息,臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì)議(IEDM)的小組研討會(huì)上透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí),臺(tái)積電重申,2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。圖源 Pexels根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片,臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。IT之家注意到,目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù),但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn),N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2
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    半導(dǎo)體巨頭競相制造下一代"2nm"尖端芯片

    • 臺(tái)積電、三星和英特爾爭奪“2nm”芯片,此舉將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來。世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在競相生產(chǎn)所謂的“2nm”處理器芯片,為下一代智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和人工智能提供動(dòng)力。臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)仍然是分析師最希望保持其在該行業(yè)全球霸主地位的公司,但三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)已將該行業(yè)的下一個(gè)飛躍視為縮小差距的機(jī)會(huì)。幾十年來,芯片制造商一直在尋求制造更緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小
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    日本Rapidus計(jì)劃2024年底引入EUV光刻機(jī)

    • 據(jù)日媒報(bào)道,日本芯片公司Rapidus表示,正在北海道建設(shè)芯片工廠,目標(biāo)是2027年量產(chǎn)2nm制程芯片。該公司宣布,決定在2024年年底引入EUV光刻機(jī),并將派遣員工赴荷蘭阿斯麥學(xué)習(xí)EUV極紫外光刻技術(shù)。目標(biāo)是今年派遣100名員工至IBM、阿斯麥學(xué)習(xí)先進(jìn)芯片技術(shù)。
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    為掌握 2nm 工藝,日本半導(dǎo)體公司 Rapidus 宣布全球范圍內(nèi)“招兵買馬”

    • IT之家 11 月 29 日消息,根據(jù)路透社報(bào)道,日本財(cái)團(tuán) Rapidus 為了掌控 2nm 工藝制程,要和臺(tái)積電等行業(yè)領(lǐng)先公司競爭,計(jì)劃開啟全球“招兵買馬”計(jì)劃,吸納全球半導(dǎo)體人才,以重振日本的芯片產(chǎn)業(yè)。圖源  ImecRapidus 計(jì)劃 2027 年在日本本土開始大規(guī)模生產(chǎn) 2nm 芯片,公司積極和 IBM 和 Imec 合作的同時(shí),緊抓人才發(fā)展戰(zhàn)略,一方面在國內(nèi)招募行業(yè)資深人士,一方面在國外尋求專業(yè)人才。現(xiàn)年 74 歲的 Rapidus 負(fù)責(zé)人東哲郎(Tetsuro Higas
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    臺(tái)積電高雄廠已完成2nm營運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè),未來或切入1.4nm

    • 據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)積電高雄廠正式編定為臺(tái)積22廠(Fab 22),并且完成該廠2nm營運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè)。臺(tái)積電供應(yīng)鏈認(rèn)為,臺(tái)積電或許可能將高達(dá)逾7000億新臺(tái)幣的1.4nm投資計(jì)劃轉(zhuǎn)向高雄,但仍視其他縣市爭取臺(tái)積電進(jìn)駐態(tài)度及臺(tái)積電全盤規(guī)劃而定。報(bào)道指出,臺(tái)積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時(shí)生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例,將高雄廠原計(jì)劃切入28納米及7納米的規(guī)劃,改為直接切入2納米。同時(shí)在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際,也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。此前據(jù)TechNews消息,臺(tái)積電在北部(新竹寶山)、中部(臺(tái)中
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    臺(tái)積電2nm制程預(yù)計(jì)2025年Q4量產(chǎn)

    • 臺(tái)積電新竹寶山工廠預(yù)計(jì)于2024年第2季度開始安裝設(shè)備,預(yù)計(jì)2025年第4季度量產(chǎn),初期月產(chǎn)量約3萬片晶圓。據(jù)臺(tái)媒,臺(tái)積電正持續(xù)推進(jìn)2nm制程進(jìn)展,位于新竹寶山的臺(tái)積電工廠預(yù)計(jì)于2024年第2季度開始安裝設(shè)備,預(yù)計(jì)2025年第4季度量產(chǎn),初期月產(chǎn)量約3萬片晶圓。此外,臺(tái)積電的高雄工廠預(yù)估將會(huì)在N2工藝登場1年后,采用背面供電技術(shù),量產(chǎn) N2P(2nm 加強(qiáng)版)工藝。
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    臺(tái)積電、三星、英特爾決戰(zhàn)2nm!

    • 8日,臺(tái)積電對(duì)外表示高雄廠確定加入竹科與中科2納米行列。2納米制程進(jìn)一步受到重視,晶圓代工三杰臺(tái)積電、三星、英特爾未來決戰(zhàn)戰(zhàn)場都將是2納米。臺(tái)積電2025年量產(chǎn)2納米,三星緊追在后2025年推出2納米制程。兩年前重回晶圓代工的英特爾更積極,四年內(nèi)推出五個(gè)先進(jìn)制程,2024上半年搶先推出等于2納米的Intel 20A,下半年再推等于1.8納米的Intel 18A。從量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)看,決戰(zhàn)2納米就在2024~2025年。究竟誰較有優(yōu)勢(shì),市場人士認(rèn)為,2納米制程門檻很高,臺(tái)積電、英特爾都在2納米導(dǎo)入GAA架構(gòu)及背面
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