2nm soc 文章最新資訊

SmartDV借助AI新動(dòng)能以定制IP和生態(tài)合作推動(dòng)AI SoC等全新智能芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

作為長(zhǎng)期植根中國(guó)的全球領(lǐng)先的集成電路知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）提供商，SmartDV一直在跟蹤人工智能（AI）技術(shù)以及它對(duì)各個(gè)細(xì)分芯片領(lǐng)域的推動(dòng)作用，同時(shí)也在不斷地推出新的諸如IP、驗(yàn)證IP （VIP）和Chiplet這樣的產(chǎn)品和服務(wù)，支持客戶(hù)迅速開(kāi)發(fā)AI SoC等新一代智能應(yīng)用芯片去把握AI技術(shù)帶來(lái)的新機(jī)遇。AI技術(shù)在龍年歲末金龍擺尾實(shí)現(xiàn)了諸多突破，例如在CES 2025大展上許多行業(yè)組織和標(biāo)準(zhǔn)組織推出了新的協(xié)議和標(biāo)準(zhǔn)以滿(mǎn)足AI應(yīng)用的帶寬需求；而DeepSeek把訓(xùn)練成本大幅下降之后，給更多的智能端側(cè)設(shè)備帶來(lái)了添
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國(guó)產(chǎn)FPGA SOC雙目視覺(jué)處理系統(tǒng)開(kāi)發(fā)實(shí)例-米爾安路DR1M90開(kāi)發(fā)板

1.系統(tǒng)架構(gòu)解析本系統(tǒng)基于米爾MYC-YM90X核心板構(gòu)建，基于安路飛龍DR1M90處理器，搭載安路DR1 FPGA SOC 創(chuàng)新型異構(gòu)計(jì)算平臺(tái)，充分發(fā)揮其雙核Cortex-A35處理器與可編程邏輯（PL）單元的協(xié)同優(yōu)勢(shì)。通過(guò)AXI4-Stream總線(xiàn)構(gòu)建的高速數(shù)據(jù)通道（峰值帶寬可達(dá)12.8GB/s），實(shí)現(xiàn)ARM與FPGA間的納秒級(jí)（ns）延遲交互，較傳統(tǒng)方案提升了3倍的傳輸效率，極大地提升了系統(tǒng)整體性能。國(guó)產(chǎn)化技術(shù)亮點(diǎn)：●? ?全自主AXI互連架構(gòu)，支持多主多從拓?fù)?，確保系統(tǒng)靈活性與
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Qorvo BMS創(chuàng)新解決方案助力精準(zhǔn)SOC和SOH監(jiān)測(cè)，應(yīng)對(duì)鋰離子電池挑戰(zhàn)

鋰離子電池因其極具吸引力的性能和成本指標(biāo)，目前已廣泛應(yīng)用于各類(lèi)便攜式設(shè)備中。然而，其必須具備精確的充放電控制才能保證安全；這就要求實(shí)施電池管理系統(tǒng)。本文將圍繞這一問(wèn)題展開(kāi)討論，并介紹一種既經(jīng)濟(jì)高效又能為用戶(hù)帶來(lái)額外益處的集成解決方案，包括荷電狀態(tài)（SOC）和健康狀態(tài)（SOH）監(jiān)測(cè)等。回顧歷史，曾被考慮用于電池的化學(xué)成分可謂五花八門(mén)，或許已有數(shù)百種之多——從意大利科學(xué)家Alessandro Volta于1800年左右發(fā)明的原始銅鋅紙板原電池，到常見(jiàn)的可充電鉛酸電池，再到能夠在90秒內(nèi)為電動(dòng)汽車(chē)充滿(mǎn)電的奇異（
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全球首款2nm芯片！曝三星Exynos 2600進(jìn)展順利

2月8日消息，剛剛上市不久的三星Galaxy S25系列在全球范圍內(nèi)使用高通驍龍8 Elite芯片，因?yàn)槿亲约旱腅xynos 2500 SoC存在良率問(wèn)題。據(jù)媒體報(bào)道，三星電子為下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600投入了大量資源，以確保其按時(shí)量產(chǎn)。報(bào)道指出，Exynos 2600使用三星2nm工藝制程，試生產(chǎn)良率約為30%左右，高于內(nèi)部預(yù)期，該公司計(jì)劃在下半年進(jìn)一步穩(wěn)定Exynos 2600的量產(chǎn)工藝，Q4開(kāi)始量產(chǎn)，明年1月登場(chǎng)的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載，如果計(jì)劃順利實(shí)施的話(huà)，Exynos 2
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50%的年長(zhǎng)者可能會(huì)聽(tīng)障？！救贖的辦法在這里

絕非危言聳聽(tīng)：聽(tīng)力障礙，很可能（50%的概率）會(huì)發(fā)生在你身上。沒(méi)錯(cuò)，當(dāng)你老了！據(jù)《中國(guó)聽(tīng)力健康現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)》統(tǒng)計(jì)，我國(guó) 65 歲以上老年人約 1/3 存在中度以上聽(tīng)力損失，75 歲以上老年人中這一數(shù)字上升到約 1/2 。中國(guó)老年聽(tīng)障群體規(guī)模達(dá)到了 1.2 億。每三位老年人就會(huì)有一個(gè)中、重度甚至是極重度的聽(tīng)障患者。何以解憂(yōu)？唯有助聽(tīng)本可輕松避免，但卻各種原因成為中國(guó)人晚年的魔咒！無(wú)關(guān)緊要的自然界的風(fēng)聲雨聲聽(tīng)不見(jiàn)，通常會(huì)覺(jué)得無(wú)所謂。但如果因此跟人打交道變得艱難，許多人就不愿意出門(mén)了。事實(shí)上，老人聽(tīng)力受損的后
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英偉達(dá)布局Windows PC生態(tài)系統(tǒng)

據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)與聯(lián)發(fā)科合作，將于今年年末推出首款專(zhuān)為Windows on Arm設(shè)備設(shè)計(jì)的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），首款產(chǎn)品將采用臺(tái)積電（TSMC）的3nm工藝和CoWoS封裝，預(yù)計(jì)最快在5月的COMPUTEX 2025展會(huì)上搶先亮相。該芯片屬于N1系列，包括旗艦級(jí)的N1X和中端型號(hào)N1（與高通驍龍X Elite和驍龍X Plus的市場(chǎng)策略頗為相似）。值得注意的是的是，這兩款芯片均內(nèi)置了Blackwell架構(gòu)的GPU，將是市場(chǎng)上性能最強(qiáng)的SoC之一。換句話(huà)說(shuō)，在DLSS4的加持下，它還真有可能提供超過(guò)移動(dòng)版R
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消息稱(chēng)臺(tái)積電拒絕代工三星 Exynos 處理器

1 月 16 日消息，消息源 Jukanlosreve 于 2024 年 11 月 13 日在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，稱(chēng)三星正考慮委托臺(tái)積電量產(chǎn) Exynos 芯片。昨日，該博主更新了最新進(jìn)展：臺(tái)積電拒絕代工三星 Exynos 處理器。我們注意到，韓媒去年 12 月曾援引三星電子高管消息，第 2 代 3nm GAA（Gate-All-Around）工藝進(jìn)入穩(wěn)定階段，并稱(chēng) System SLI 和代工廠事業(yè)部之間已結(jié)束“互相推諉責(zé)任”，改而合作推進(jìn)新芯片商用。消息稱(chēng)三星已解決 3 納米良率問(wèn)題，為 Exynos
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Microchip發(fā)布適用于醫(yī)療成像和智能機(jī)器人的PolarFire? FPGA和SoC解決方案協(xié)議棧

發(fā)布于2024年12月13日隨著物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化和智能機(jī)器人技術(shù)的興起，以及醫(yī)療成像解決方案向智能邊緣的普及，這類(lèi)在功率與散熱方面受限的應(yīng)用設(shè)計(jì)正變得前所未有地復(fù)雜。為了解決加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期和簡(jiǎn)化復(fù)雜的開(kāi)發(fā)流程的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）發(fā)布了用于智能機(jī)器人和醫(yī)療成像的PolarFire? FPGA和SoC解決方案協(xié)議棧。新發(fā)布的解決方案基于Microchip已經(jīng)可用的智能嵌入式視覺(jué)、工業(yè)邊緣和智能邊緣通信協(xié)議棧。新發(fā)布的解決方案協(xié)議棧包括用于A-ass
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從蘋(píng)果 A7 到 A18 Pro 芯片：晶體管數(shù)量激增 19 倍，晶圓成本飆升 2.6 倍

1 月 5 日消息，近年來(lái)，蘋(píng)果公司的 A 系列智能手機(jī)處理器經(jīng)歷了顯著的技術(shù)演進(jìn)。從 2013 年采用 28 納米工藝的 A7 芯片，到 2024 年采用 3 納米工藝的 A18 Pro 芯片，蘋(píng)果在核心數(shù)量、晶體管密度和功能特性上實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展。然而，隨著制程技術(shù)的不斷升級(jí)，芯片制造成本也大幅攀升，為蘋(píng)果帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。我們注意到，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Creative Strategies 的首席執(zhí)行官兼首席分析師本?巴賈林（Ben Bajarin）的報(bào)告，蘋(píng)果 A 系列芯片的晶體管數(shù)量從 A7 的
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消息稱(chēng)聯(lián)發(fā)科推遲引入2nm 天璣9500芯片采用臺(tái)積電N3P工藝

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》6日訊，聯(lián)發(fā)科已逐步將重心移向開(kāi)發(fā)下一代天璣9500芯片，相關(guān)芯片將于今年末至明年初亮相。最初聯(lián)發(fā)科計(jì)劃相關(guān)芯片采用臺(tái)積電2nm工藝制造，但考慮到相關(guān)工藝價(jià)格高昂，且蘋(píng)果同樣將在M5系列芯片中引入相關(guān)工藝占用產(chǎn)能，因此聯(lián)發(fā)科出于成本和產(chǎn)能考慮，選擇N3P工藝制造天璣9500。
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首發(fā)推遲？臺(tái)積電2nm真的用不起

蘋(píng)果原本計(jì)劃在今年推出的iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max兩款機(jī)型上搭載臺(tái)積電2nm處理器芯片，現(xiàn)如今可能會(huì)將時(shí)間推遲12個(gè)月至2026年。因此，將于今年下半年發(fā)布的iPhone 17系列中或?qū)⒉捎?nm的臺(tái)積電N3P工藝，而非2nm制程。用不起的臺(tái)積電2nm工藝目前，臺(tái)積電已在新竹寶山工廠開(kāi)始了2nm工藝的試產(chǎn)工作（每月5000片晶圓的小規(guī)模生產(chǎn)），初期良率是60%，這意味著有將近40%的晶圓無(wú)法使用，每片晶圓的代工報(bào)價(jià)可能高達(dá)3萬(wàn)美元。第一座工廠計(jì)劃位于新竹縣寶山附近，毗鄰
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消息稱(chēng)明年半導(dǎo)體行業(yè)將迎激烈競(jìng)爭(zhēng)，臺(tái)積電三星等摩拳擦掌

12 月 25 日消息，據(jù)外媒 phonearena 報(bào)道，2025 年（明年）半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來(lái)激烈的競(jìng)爭(zhēng)，各家晶圓代工廠將開(kāi)始批量生產(chǎn)采用 2nm 制程工藝的芯片，同時(shí)積極降低 3nm 制程工藝芯片量產(chǎn)成本。作為全球最大的晶圓代工廠，臺(tái)積電在蘋(píng)果目前最新的 iPhone 16 系列的 A18 和 A18 Pro 中使用第二代 3nm 制程工藝（N3E）。盡管此前有傳聞稱(chēng)臺(tái)積電將使用 2nm 工藝生產(chǎn) A19 系列處理器，但此前爆料表示明年的 iPhone 17 系列手機(jī)仍將采用臺(tái)積電第三代 3nm 工
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聯(lián)發(fā)科天璣 8400 芯片詳細(xì)參數(shù)曝光，消息稱(chēng)暫定 12 月 23 日發(fā)布

12 月 11 日消息，據(jù)博主 @數(shù)碼閑聊站今日消息，聯(lián)發(fā)科天璣 8400 芯片暫定 12 月 23 日發(fā)布。他還爆料了天璣 8400 的詳細(xì)配置參數(shù)：臺(tái)積電 4nm 工藝1*3.25GHz A725 + 3*3.0GHz A725 + 4*2.1GHz A725 CPUImmortalis G720 MC7 1.3GHz GPU全大核 CPU 架構(gòu)安兔兔跑分最高 180W+匯總爆料來(lái)看，聯(lián)發(fā)科天璣 8400 將首發(fā) Cortex-A725 全大核架構(gòu)，有望搭載于小米旗下 REDMI
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臺(tái)積電拿下決定性戰(zhàn)役

在2nm工藝制程的決戰(zhàn)上，臺(tái)積電又一次跑到了前面。12月6日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電已在新竹縣的寶山工廠完成2nm制程晶圓的試生產(chǎn)工作。據(jù)悉，此次試生產(chǎn)的良品率高達(dá)60%，大幅超越了公司內(nèi)部的預(yù)期目標(biāo)。值得一提的是，按照臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家曾在三季度法說(shuō)會(huì)上的表態(tài)，2nm制程的市場(chǎng)需求巨大，客戶(hù)訂單未來(lái)可能會(huì)多于3nm制程。從目前已知信息來(lái)看，臺(tái)積電已經(jīng)規(guī)劃了新竹、高雄兩地的至少四座工廠用于2nm制程的生產(chǎn)，在滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài)下，四座工廠在2026年年初的2nm總產(chǎn)能將達(dá)12萬(wàn)片晶圓。在三星工藝開(kāi)
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消息稱(chēng)臺(tái)積電 2nm 芯片生產(chǎn)良率達(dá) 60% 以上，有望明年量產(chǎn)

12 月 9 日消息，在半導(dǎo)體行業(yè)中，“良率”（Yield）是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，指的是從一片硅晶圓中切割出的可用芯片通過(guò)質(zhì)量檢測(cè)的比例。如果晶圓廠的良率較低，制造相同數(shù)量的芯片就需要更多的晶圓，這會(huì)推高成本、降低利潤(rùn)率，并可能導(dǎo)致供應(yīng)短缺。據(jù)外媒 phonearena 透露，臺(tái)積電計(jì)劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 2 納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺(tái)積電工廠進(jìn)行試產(chǎn)，結(jié)果顯示其 2nm 制程的良率已達(dá)到 60% 以上。這一數(shù)據(jù)還有較大提升空間，外媒稱(chēng)，通常相應(yīng)芯片良率需要達(dá)到 70% 或更高才能進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。以目前
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