- ARM與全球晶圓專工大廠聯電14日宣布擴大合作協議,將提供ARM Artisan實體IP與POP IP供聯電28HLP制程使用。針對鎖定智慧手機、平板、無線與數位家庭等各式平價消費性應用的客戶,聯電與ARM將透過本協議,提供先進制程技術與全方位實體IP平臺。聯電目前正針對客戶產品以28HLP制程進行試產,預計2014年初開始量產。
聯電負責矽智財研發設計支援的副總簡山杰指出,聯電秉持著United for Excellence共創卓越的精神,與IP供應商通力合作,為晶圓專工客戶提供高價值的設
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聯電 ARM
- 晶圓代工廠聯電今天宣布,55nm嵌入式高壓制程生產的小尺寸面板驅動IC,累積出貨已逾1500萬顆。
聯電表示,客戶55nm小尺寸面板驅動IC產品2012年底首次設計定案(tapeout),短短1年累積出貨1500萬顆,展現聯電在工程與制造上的實力。
聯電指出,位于南科與新加坡的兩座12寸晶圓廠皆可提供足夠產能支援,與經濟規模產量。
因應行動通訊裝置顯示器朝窄邊框與無邊框發展,聯電持續推進55nm嵌入式高壓制程的靜態隨機存取記憶體(SRAM)面積極限,目前已可縮小至0.37
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聯電 55nm 驅動IC
- 晶圓代工大廠臺積電(2330)上周法說會打頭陣,龍頭廠也為半導體后市展望與景氣定調,預期隨著本季供應鏈進入庫存調整期;明年第一季值傳統淡季,晶圓代工將連續兩季走淡,本季各家廠商營收恐皆季減1成以上。
臺積電第三季營收與獲利皆創歷史新高,財報符合公司與市場預期,單季稅后盈余達519.5億元,季增0.3%、年增5.2%,每股盈余2元;第四季因供應鏈更積極調整庫存,以美金兌換臺幣29.5元計算,臺積電預估單季營收約在1440至1470億元之間,季減10.5%上下,毛利率下滑到44%至46%間,營業
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聯電 晶圓代工
- 晶圓代工大廠臺積電(2330)上周法說會打頭陣,龍頭廠也為半導體后市展望與景氣定調,預期隨著本季供應鏈進入庫存調整期;明年第一季值傳統淡季,晶圓代工將連續兩季走淡,本季各家廠商營收恐皆季減1成以上。
臺積電第三季營收與獲利皆創歷史新高,財報符合公司與市場預期,單季稅后盈余達519.5億元,季增0.3%、年增5.2%,每股盈余2元;第四季因供應鏈更積極調整庫存,以美金兌換臺幣29.5元計算,臺積電預估單季營收約在1440至1470億元之間,季減10.5%上下,毛利率下滑到44%至46%間,營業
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聯電 晶圓代工
- 聯電、世界9日公告9月業績數據,隨出貨減少、客戶庫存調整等,聯電單月營收減1.34%、世界減5%,但二者單季營收分別季增4.7%、4.36%皆優預期。
聯電公布內部自行結算9月合并營收為新臺幣108.51億元,月減1.34%,但較去年同期仍增加14.68%。
世界先進公布9月營收17.84億元,受晶圓出貨量下滑,月減少5.32%,為近5個月以來低點,但年增21.74%。
另一方面,二者單季營收表現優于原先預期,累計聯電第3季合并營收344.06億元,隨Wi-Fi與特殊制程應用需求支撐
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聯電 晶圓
- 晶圓代工廠聯電傳出28nm制程良率已突破7成,獲聯發科擴大下單。聯電對此不評論,表示28奈米進展如預期,今年底將貢獻1%至3%業績。
聯電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下,股價表現強勁,今天盤中一度達新臺幣13.35元,上漲0.75元,漲幅達5.95%,并創1個多月來新高價。
聯電表示,不評論市場傳言,28nm制程進展符合預期。
聯電執行長顏博文于8月法人說明會中即曾預期,今年底28奈米制程將貢獻1%至3%業績;40奈米以下先進制程比重第3季可望逼近2成水準
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聯電 28nm
- 晶圓代工廠聯電傳出28nm制程良率已突破7成,獲聯發科擴大下單。聯電對此不評論,表示28奈米進展如預期,今年底將貢獻1%至3%業績。
聯電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下,股價表現強勁,今天盤中一度達新臺幣13.35元,上漲0.75元,漲幅達5.95%,并創1個多月來新高價。
聯電表示,不評論市場傳言,28nm制程進展符合預期。
聯電執行長顏博文于8月法人說明會中即曾預期,今年底28奈米制程將貢獻1%至3%業績;40奈米以下先進制程比重第3季可望逼近2成水準。
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聯電 28nm
- 聯電24日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻目標為個位數百分比。對聯電,外資未有調高目標價的報告,而內資法人出具的最新報告則從中立轉買進、喊出調高目標價至18元,也是內資近1年半來的最高價,并使內外機構的高低價差達到了8元。
市場傳出,聯電因28nm制程良率顯著提高至7成以上、再獲得聯發科訂單,聯電不評論單一客戶。聯電今天重申28nm部分按進度,維持早先法說會釋出,預估對今年底營收貢獻低個位數百分比1-3%。
內資法人指出,據最新訪查基于3理由喊買聯電:(1)28nm制程良率顯著
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聯電 28nm
- 晶圓代工廠聯電23日宣布,日前已通過財政部關務署AEO(Authorized Economic Operator,優質企業)中心審查,并正式取得AEO認證資格,成為國內第一家通過此認證的晶圓專業代工廠。
聯電指出,除積極響應海關推動的AEO政策,也致力于貨物整體物流供應鏈安全。將在取得AEO認證資格之后,可獲得海關提供之最優惠通關待遇,加速貨物流通速度。
聯電副總廖木良表示,身為國際化的半導體晶圓廠,有監于對全球反恐趨勢及維護貨物安全等議題的重視,聯電致力于導入AEO制度,并建立供應鏈安全
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聯電 晶圓代工
- 在臺積電(2330)7月營收下滑之下,聯電(2303)7月營收則繳出月增7.4%、來到115.58億元,年增11.59%,登上今年以來單月新高的亮麗成績單。而公司也于法說會上預估,Q3營收將能溫和成長,可望季增約3~4%。不過,外資德意志則是出具最新報告指出,聯電7月營收雖受益于面板驅動IC需求而強勁走高,不過8月即會遭遇無線通訊客戶(wireless)的庫存調整,營收估將月減4~6%。
也因此,即使7月營收優于預期,德意志認為,隨著8~9月營收下滑,聯電Q3營收約僅會季增3%左右。而聯電今年下
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聯電 晶圓代工
- 聯電近期與IBM簽訂合作計劃,全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產。不過,聯電也不忘記取當初發展0.13微米時,授權IBM方案卻面臨量產窒礙難行,反遭臺積電大幅超前進度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎技術平臺與材料科技,并將主導大部分制程研發,以結合先進科技和具成本效益的量產技術,避免重蹈覆轍。
聯電執行長顏博文表示,隨著IC設計業者對于更新、更先進技術的需求日益增高,聯電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導體(CMOS)
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聯電 14nm
- 聯電舉辦線上法說并公布第2季財務報告,第2季歸屬母公司凈利為新臺幣18.1億元,每股普通股獲利為新臺幣0.15元;當中40奈米及以下制程的營收比重從第1季的18%提升到2成。
聯電第2季營業收入為新臺幣319.1億元,與上季的新臺幣277.8億元相比增加14.8%,較去年同期的新臺幣303.8億元成長5%。本季毛利率為19.4%,營業凈利率為3.6%,歸屬母公司凈利為新臺幣18.1億元,每股普通股獲利為新臺幣0.15元。
聯華電子執行長顏博文表示,2013年第2季整體營運表現優于預期,其中
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聯電 40nm
- 聯電將跳過20納米(nm)制程節點,全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯 電已計劃在量產28納米后,直接跨過20納米節點,加速挺進更具投資效益的14納米FinFET世代,以與臺積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。
聯電市場行銷處處長黃克勤表示,20納米制程帶來的效益將不 如從40納米演進至28納米的水準,且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案,勢將增加一筆可觀花費
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聯電 20nm
- 聯電29日宣布,12寸URAM嵌入式存儲器技術獲得中國大陸數碼電視解調器芯片設計公司高拓訊達(AltoBeam)的訂單,未來將運用在高拓訊達推出的DVB-T2/T/C/S2/S解調器ATBM7812,以因應未來數碼電視市場需求。
聯電亞洲銷售副總經理王國雍表示,高拓訊達在大陸市場具領導地位,聯電在先進技術優勢上與大陸芯片設計公司進一步合作,將提供全方位的技術解決方案,包含已驗證量產的12寸URAM制程,藉此提高高拓訊達的市場競爭力。
聯電表示,URAM制程是一項獲得專利的嵌入式DRAM技術
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聯電 存儲器 DRAM
- 聯電將跳過20納米(nm)制程節點,全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯電已計劃在量產28納米后,直接跨過20納米節點,加速挺進更具投資效益的14納米FinFET世代,以與臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。
聯電市場行銷處處長黃克勤表示,20納米制程帶來的效益將不如從40納米演進至28納米的水準,且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案,勢將增加一筆可觀花費,已使
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聯電 20納米
聯電介紹
臺灣聯電集團總部設在臺灣,集團旗下有5家晶圓代工廠,包括聯電、聯誠、聯瑞、聯嘉以及最新投資的合泰半導體,是全球半導體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據"經濟部中央標準局"公布的近5年島內百大"專利大戶"名單,以申請件數排名, 聯電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專利件數而言,1993年至1997年所累積的件數,聯電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [
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