聯電與ARM擴大28nm合作

　　ARM與全球晶圓專工大廠聯電14日宣布擴大合作協議，將提供ARM Artisan實體IP與POP IP供聯電28HLP制程使用。針對鎖定智慧手機、平板、無線與數位家庭等各式平價消費性應用的客戶，聯電與ARM將透過本協議，提供先進制程技術與全方位實體IP平臺。聯電目前正針對客戶產品以28HLP制程進行試產，預計2014年初開始量產。

　　聯電負責矽智財研發設計支援的副總簡山杰指出，聯電秉持著United for Excellence共創卓越的精神，與IP供應商通力合作，為晶圓專工客戶提供高價值的設計支援解決方案。聯電28奈米雙制程發展路徑包括了多晶矽(poly SiON)與高介電常數金屬閘極(HKMG)技術。

　　他強調，聯電無論是在功耗、效能與晶片面積等各個層面，28HLP制程均是晶圓專工業界最具競爭力的多晶矽28奈米技術，還有強大的設計平臺可協助行動與通訊產業客戶加速產品上市時間，很高興能擴大與ARM之間的合作關系，以ARM大受歡迎的POP IP核心硬化加速技術(core-hardening acceleration technology)，進一步強化聯電的28HLP平臺。

　　低耗能的ARM Cortex-A7處理器已廣為智慧手機、平板、數位電視等消費性產品所采用。Cortex-A7處理器的ARM POP IP鎖定聯電1.2GHz的28HLP平臺于2013年12月開始出貨。

　　聯電表示，28HLP制程為其28奈米多晶矽制程的加強版，可在體積、速度與耗電之間取得最佳化平衡。該制程因上述特色，成為可攜式、無線區域網路、有線/手持式消費性產品等具有低耗電高效能需求的各式應用之最佳選擇。聯電目前正針對客戶產品以28HLP制程進行試產，預計2014年初開始量產。