- 據IHS iSuppli公司的DRAM市場研究簡報，美國美光與日本爾必達如果合并，可能導致DRAM產業格局發生劇烈變化。
目前關于二者將走向合并的傳言甚囂塵上。如果合并，則所形成的新企業將在全球DRAM市場排名第二，合計晶圓月產能(WSPM)將達37.4萬片。它將占全球DRAM產能的28%，僅次于目前排名第一的的韓國三星電子。目前三星的晶圓月產能是43.3萬片，占全球產能的33%，如圖所示。爾必達和美光的各自排名通常是第三和第四。
DRAM版圖重新劃分之后，韓國海力士半導體的排名將從目前的
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美光 DRAM
- 美光本周三發布了全新低功耗DDR3內存解決方案--DDR3Lm，主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動市場。首批產品包括2Gb、4Gb兩種規格，宣稱可為移動產品帶來更長續航時間的同時，依然擁有不俗的性能和較高的性價比。
首先是2Gb DDR3Lm，相比標準2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片，其功耗可以降低50%左右，最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗，待機狀態下功耗只有3.7mA IDD6，最高頻率可達1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝，以進一步優
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美光 內存
- 雖然內存價格暴跌已經導致該行業四大企業中的三家出現虧損，但美光科技總裁馬克·亞當斯(Mark Adams)周五表示，電腦內存價格很可能已經見底。作為全美唯一一家DRAM存儲芯片廠商，美光科技去年12月發布的業績顯示，由于PC需求放緩導致產品價格下跌，該公司已經連續第二季度虧損。“我不認為DRAM市場還會繼續下行，現在感覺已經穩定。”亞當斯說。
各大存儲芯片廠商都在努力平衡電腦內存的供需關系，在這一行業中，建設工廠需要花費數年時間，因此很難輕易關閉。但該行業卻
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美光 內存
- 美光(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺幣150億元)入股爾必達(Elpida)，最快2月定案，成為此波DRAM市況不振下，首樁業界整合案例。美光、爾必達分別是南科、華亞科，以及力晶、瑞晶合作伙伴，兩強整并有助臺廠迎向新契機。
據了解，爾必達將于4月面臨高達12億美元(約新臺幣360億元)償債壓力，為了取得銀行團的支持，已正式向債權銀行提出與美光等DRAM廠合作的復蘇計劃，但美光與爾必達都不愿證實雙方將簽訂合作備忘錄。
法人指出，美光、爾必達在全球DRAM產業地位僅次于韓國三星、海
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美光 DRAM
- 北京時間12月22日早間消息，美國第一大電腦存儲芯片廠商美光科技周三發布公告稱，由于PC需求疲軟導致存儲芯片價格下滑，該公司連續第二財季虧損。
在截至12月1日的第一財季內，美光科技凈虧損1.87億美元，折合每股虧損0.19美元，去年同期實現凈利潤1.55億美元，折合每股收益0.15美元;實現營業收入20.9億美元，同比下滑7.2%。分析師此前平均預計該公司每股虧損0.08美元，營業收入為21.2億美元。
美國投資公司Raymond James & Associates分析師漢斯&
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美光 DRAM
- 美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。
美光計劃使用特殊設計的主從DRAM芯片(die)，其中只有主die才與外界內存控制器發生聯系，從die只是輔助芯片，同時還會用上優化的DRAM die、每堆棧單個DLL、減少主動邏輯電路、共享的單個外部I/O
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美光 3D內存
- 近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。
美光將會開始生產利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產。
IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術。
對于美光而言，混合式記憶體立方(HMC)
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美光 內存芯片 硅穿孔
- 美光公司今天表示，泰國水災過后固態硬盤的需求大增。自今年夏末以來，傳統硬盤的價格一直在穩步上揚，因為全球70%左右的硬盤相關產品供應來自泰國，而泰國洪水造成了硬盤供應的短缺。最近惠普CEO梅格·惠特曼(Meg Whitman)就曾表示，該公司大客戶近期受到了硬盤缺貨的困擾。
美光表示，固態硬盤的訂購量也在上升。該公司NAND解決方案集團市場總監凱文·基爾巴克(Kevin Kilbuck)表示，現在硬盤供應減少，而固態硬盤可以填補這一供應缺口。他指的是PC的傳統硬盤插槽
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美光 固態硬盤
- 近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。
美光將會開始生產利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產。
IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE 國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術。
對于美光而言，混合式記憶體立方
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美光 內存芯片
- 蘭巴斯公司(Rambus)指控美光(Micron)與海力士(Hynix)共謀阻止其記憶芯片成為業界標準的官司失利，16日股價一度暴跌78%。
蘭巴斯指稱美光科技與南韓海力士公司違反加州反托辣斯法，串通操縱DRAM價格，但舊金山的加州高等法院法官16日以九票對三票駁回這項指控。
蘭巴斯16日午盤股價最多暴跌14.04美元，以每股4美元成交，跌幅高達78%，收盤時回升到7.11美元，但跌幅仍達60.6%。美光股票則飆升23.4%，以6.74美元收盤;海力士股價17日在首爾股市則漲3.8%，收每
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美光 DRAM
- 單條64GB的內存看來也要“普及”了——不過首先當然是用在服務器上。11月3日，美光科技正式宣布更新旗下LRDIMM內存產品線，首次推出單條容量高達64GB的產品，面向云計算、HPC、Web服務器，數據中心等對高性能、高容量有要求的領域。
美光的新LRDIMM服務器產品線除64GB外還提供8GB、16GB、32GB等檔次不同的型號，默認頻率1333MHz，時序為CL=9，電壓為符合DDR3L標準的1.35V。
美光LRDIMM產品中8GB、1
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美光 服務器內存
- 之前我們曾經提到過美光開發的“夾心餅干”內存技術即HMC(Hyper Memory Cube)，該公司還聯合Intel在IDF 2011舊金山開發者論壇上展示了相關樣品。10月6日，美光宣布將和存儲芯片業界龍頭韓國三星電子一起研發HMC這種新的內存架構，目標是盡快使其實用化，進入工業化生產階段。
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美光 內存
- 美系存儲器大廠美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已開始送樣，預計2011年下半可進入量產，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網通產品供應鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲 RLDRAM 3存儲器芯片，支持業界第1個400 Gb芯片組。
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美光 RLDRAM
- 美系存儲器大廠美光科技(Micron)和高智發明(Intellectual Ventures;IV)宣布雙方已簽署智能財產授權合約，未來美光可取得高智發明旗下所擁有高達3萬多種的智能專利組合(IP)的使用權，高智發明也可向美光取得專利權，擴展智能財產權組合。
高智發明創立于2000年，集結頂尖的發明家與開創型的先驅公司合伙，并在發明的過程中，投入專業知識與資金，公司成立的使命是推動「發明型經濟」(invention economy)，促進全球各地的各項產品創新。
高智發明表示，將持續與所有
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美光 存儲器
- 由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產業將持續供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數股權和產能，未來不排除再擴大NAND Flash產能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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美光 NAND
美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網絡、安防、工業、消費類以及醫療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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