- 多年來持續試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統的設計和工程建設能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創新不應只在單點的芯片工藝上，而是應該在系統架構上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據《快科技》報導，在今天的數據大會上，華為常務董事張平安就芯片技術發展發言指出，「通過系統的設計和工程建設可以解決我們整體數字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們在芯片上的代差。」張平安說，「在華為看來，AI數據中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數能結合。」在這之
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工藝 華為 系統設計 芯片代差
- 近日，臺積電業務發展高級副總裁張曉強博士在接受采訪時被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡單，不在乎。只要我們能繼續推動工藝進步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了。”在張曉強看來，臺積電的優勢在于，每年都能投產一種新的制程工藝，為客戶改進性能、功耗和面積 （PPA）指標進。比如說最近十年來，蘋果一直是臺積電的頭號客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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臺積電 摩爾定律 工藝
- 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發展。英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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Intel 3 3nm 工藝
- 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯發科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor
G5的樣品發送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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谷歌 臺積電 Tensor G5 3nm 工藝
- IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯合創始人兼首席執行官 Timo Valtonen 認為這項技術有著廣泛的應用前景：“CPU 是計算中最薄弱的環節。它無法勝任自己的任務，這一點需要改變。”該芯片技術涉及一個配套芯片，不產生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實時優化處理任務
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CPU 工藝 荷蘭
- 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數據，同時寫入速度是NAND的1000倍數。基于上述特性，業界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
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存儲 工藝 三星
- 在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為
2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4
制造的基礎模具的新細節，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4
制造工藝中占據有
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臺積電 12nm 5nm 工藝 HBM4 基礎芯片
- 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業內人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進行原型試產，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表：今年下半年量產、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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三星 AI Mach-1 原型試產 4nm 工藝
- 幾個月前，臺積電發布了 2023
年年報，但顯然，文件中包含的關鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談談臺積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術革命的
A14。臺積電宣布，該公司終于進入了"Angstrom 14 時代"，開始開發其最先進的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進入市場之前還有很長的路要走，很可能會在 2 納米和 1.8 納米節點之后出現，這意味著你可以預期它至少會在未來五年甚至更長的時間內出現。著
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臺積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經在 16 個數據中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動表示
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Meta MTIA 芯片 5nm 工藝 90W 功耗 1.35GHz
- 4月11日消息，根據產業鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經取得了新的進展。據了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產時間已經確定。2納米工藝的試產將于2024年下半年開始，而小規模量產將在2025年第二季度進行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產。到了2027年，臺積電將開始推進1.4納米工藝節點，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會由蘋果率先采用。按照臺積電的量產時間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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iPhone 17 Pro 臺積電 2nm 1.4nm 工藝
- IT之家 2 月 22 日消息，英特爾于北京時間今天凌晨 0 點 30 分舉辦了 IFS Direct Connect 2024，在宣布 IFS 更名為 Intel Foundry 之外，還公布了未來十年的工藝路線圖，尤其提及了 1.4nm 的 Intel 14A 工藝。英特爾在本次活動中宣布了大量的動態信息，IT之家梳理匯總如下：圖源：IntelIFS 更名為 Intel Foundry英特爾首席執行官帕特?基辛格（Pat Gelsinger）在本次活動中，宣布 Intel Foundry S
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英特爾 EDA 工藝
- 2023年，隨著美國技術制裁的升級，中國半導體行業面臨著嚴峻的挑戰，美國對先進芯片制造工具和人工智能處理器的限制更加嚴格。10月，美國擴大了對半導體晶圓制造設備的出口管制，從戰略上限制了中國對較不先進的英偉達數據中心芯片的獲取。此舉是遏制中國技術進步的更廣泛努力的一部分，成功說服日本和荷蘭加入限制先進半導體工具出口的行列。這些制裁暴露了中國芯片供應鏈的脆弱性，促使中國加大力度實現半導體自給自足。國家資金支持國內生產較不先進的工具和零件的舉措，取得了顯著進展。然而，在開發對先進集成電路至關重要的高端光刻系統
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中國 半導體 工藝
- 10月31日消息，蘋果舉行新品發布會，線上發布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎款同時公布，蘋果官方在發布會中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統一內存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統一內存，速度最高比
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蘋果 M3 芯片 3nm 工藝 GPU
- 據武漢市科技局官微消息，日前，半導體芯片生產中的重要工藝設備——“薄膜生長”實驗裝置在武漢通過驗收，這項原創性突破可提升半導體芯片質量。據悉，半導體薄膜生長是芯片生產的核心上游工藝。這套自主研制的“薄膜生長”國產實驗裝置，由武漢大學劉勝教授牽頭，聯合華中科技大學、清華大學天津高端裝備研究院、華南理工大學、中國科學院半導體研究所、中國科學院微電子研究所等多家單位，歷時5年完成。這套“薄膜生長”國產實驗裝置由“進樣腔”、“高真空環形機械手傳樣腔”等多個腔體和“超快飛秒雙模成像系統”、“超快電子成像系統”等多個
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半導體 薄膜生長 工藝
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