宏力半導體發(fā)布先進的0.13微米嵌入式閃存制程

　　上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。

　　宏力半導體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術和自身的0.13微米邏輯技術。該授權(quán)閃存技術具有單元尺寸小，編程效率高和無過度擦除的優(yōu)點，顯著減少了嵌入式閃存模塊的面積，在市場上極具競爭力。與此同時，此新技術具有極高的耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持特性，可重復擦寫10萬次，數(shù)據(jù)可保留100年。

　　該新制程兼容了宏力半導體0.13微米所有的通用和低功耗邏輯制程，易于技術遷移。此兼容特性可確保讓客戶購買的標準單元庫和IP效益最大化，從而降低成本。

　　另外，宏力半導體針對SIM card特別提供了低成本高效益的dual-gate解決方案。該方案在0.13微米的低功耗邏輯制程中省去了3.3V器件，因此可以節(jié)省光罩層數(shù)。

　　“宏力正在進行獨立閃存芯片的大批量運行生產(chǎn)，這使我們具有明顯的優(yōu)勢來確保穩(wěn)定可靠的嵌入式閃存良率。”宏力半導體市場服務單位副總裁衛(wèi)彼得博士表示，“該新技術可廣泛應用于MCU、USB 密鑰、智能卡、汽車電子等領域，并為我們的客戶提供了頗具吸引力的低功率、低成本高效益的平臺。”