NAND Flash再刮大風　30納米世代競賽起跑

　　全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產重創市場信心，然存儲器業者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產系為蘋果供貨做準備，近期更需關注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰，亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場。

　　存儲器業者表示，東芝決定增產，加上傳出三星亦跟進，成為壓垮NAND Flash市場最后一根稻草，業者預估東芝7月將全產能開出，恐對供給面不利，然東芝43納米產品日前正式打入蘋果iPhone供應鏈，增產部分可能是蘋果專用，因此，并不用太擔心會沖擊市場。

　　值得注意的是，目前三星和東芝各以42及43納米制程生產NAND Flash芯片，然三星已開始布局35納米制程，且已送樣給多家控制芯片廠，希望能配合加快腳步，一旦三星35納米制程芯片量產，NAND Flash市場將進入30納米世代。

　　控制芯片業者指出，盡管目前英特爾及美光陣營34納米制程跑在前面，但因產能不多，對市場影響有限，若三星35納米制程順利起跑，將防止英特爾和美光陣營坐大機會。不過，三星仍應注意東芝積極開發3-bit-per-cell技術，由于三星在此方面進度始終不如東芝，恐怕市占率會再被東芝侵蝕。模塊廠認為，3-bit-per-cell芯片因穩定度問題，或許不能用在固態硬碟(SSD)，但絕對可用在隨身碟，在成本考量下，3-bit-per-cell技術殺傷力不小。

　　存儲器業者表示，三星35納米制程量產后，預計伴隨成本結構下降，NAND Flash價格恐將再有一波修正，主流規格將由目前16Gb向上推升到32Gb，若應用端僅限于隨身碟或快閃記憶卡，恐無法消化這么高容量，可能導致價格下跌，但此亦有助于固態硬碟拉近與硬碟成本，擴大市場需求。對臺系模塊廠而言，亦樂見NAND Flash廠制程持續微縮，進一步帶動SSD產業成長。