Point 35 Microstructures將氧化物釋放添加到MEMS制造系列

　　全球微機電系統（MEMS）產業蝕刻和沉積設備供應商Point 35 Microstructures公司，今日在上海宣布推出汽相氧化物釋放蝕刻模塊，進一步擴展其微機電系統(MEMS) 單晶圓制造memsstar®產品系列。這項新增的技術將確保MEMS器件設計師得到更多的生產選擇，同時帶來了寬泛的制造工藝窗口和各種工藝控制等等好處，從而使良率得到了最大的提升。
　　SVR-vHF氧化物釋放模塊結合現有的memsstar® SVR-Xe 犧牲性汽相釋放(SVR)模塊，利用無水氫氟蒸汽(aHF)來去除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機械結構。

　　隨著memsstar®系列中增添新型SVR-vHF模塊，以及現有SVR-Xe模塊，可為器件設計師們提供了更大的自由度，使其可以在特定的器件技術下選擇最優的工藝集成方案。在memsstar®基于蒸汽的工藝流程里，在SVR工藝后緊隨著由等離子體實現的表面準備和沉積工藝 (SPD)，可保護器件完全不受黏附的影響，從而增加了器件的功能良率。

　　這項新工藝在尺寸最高達200mm的晶圓上，實現了無以倫比的蝕刻率和卓越的均勻度。現可提供的配置涵蓋了手動裝載、單晶圓裝載鎖定，一直到全流程完全自動化、盒式裝載集群系統。

　　“MEMS技術日益增長的市場機會，正在對制造商們提出更高的要求，以提供更加多樣化的器件，同時提高生產能力、質量和性價比。” Point 35 Microstructures的銷售總監Tony McKie說：“汽相工藝對滿足這些需求起著至關重要的作用，而且我們完備的SVR工藝組合支持氧化物和硅釋放技術，這些將使設計師和制造商們充分認識到MEMS日益廣泛的應用中蘊藏的全部市場潛力。”

　　與傳統的基于濕法化學的蝕刻工藝相比，SVR蝕刻方法以可完全地去除犧牲材料而不損害機械結構或導致黏附而著稱；它同時提供了高度的可選擇性、可重復性和均勻性。SVR保留有干燥的表面，沒有任何殘留物或水汽，這也省去了包含在濕法工藝中的表面準備、引入酸、中和以及隨后的干燥等步驟。

　　SVR與CMOS工藝和CMOS晶圓設施是兼容的，這使得MEMS器件可以像傳統的集成電路一樣在相同的設施和基板上進行生產，這也將適用于新類型的單片MEMS/CMOS 器件。SVR進一步的好處包括減少材料的使用和更低的浪費。

關于Point 35 Microstructures
　　Point 35 Microstructures由四位經驗豐富的半導體制造專家于2003年成立，以提供一流的全規格翻新半導體制造工藝設備和服務起家，所提供的翻新后系統不僅具有性能保障，而且還通過了最新的CE標準認證。該公司尤其擅長于應用材料公司、Lam研究所和Novellus系統等廠商的設備。
　　Point 35 Microstructures于2004年推出了MEMS制造系統memsstar®專有品牌。這些MEMS工藝設備和現場工藝集成專業知識確保了客戶可以成功地過渡到集成干法工藝，并且能夠覆蓋從MEMS器件的研發到大批量制造等各階段。
    2006年，國家微電子研究所授予該公司最具創新性公司稱號。