業界第一個商用TMBS整流器與傳統整流器電子應用的對比(08-100)
—— Industry first commercialized TMBS recifiers vs. traditional rectifiers
作者：Max Chen、Henry Kuo、L. C. Kao 、PJ Kung Vishay臺灣有限公司通用半導體功率二極管部門研發部
時間：2009-03-05
來源：電子產品世界
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引言
本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/92119.htm肖特基整流器通常是高頻電子應用更為理想的選擇，由于它們具有高開關速度和低正向(導通狀態)壓降，其低正向導通能量損耗非常關鍵。但是直到最近，大多數應用的硅基肖特基勢壘整流器都受到了低于100 V的工作電壓的限制。
一直以來，肖特基勢壘整流器的反向阻斷電壓都受到了比200 V低得多的電壓的限制。這部分地是由于當反向阻斷能力接近200 V時，肖特基整流器的正向壓降(VF)將接近PIN整流器的正向壓降，使之在應用中的效率更低。為了適當地端接高反向電場，P型半導體保護環將在正向導通模式下把少數載流子注入到N型漂移區。這些載流子將導致高開關損耗，并在開關條件下減慢肖特基整流器的響應速度。
利用創新的溝道式MOS勢壘肖特基(TMBS)整流器可以降低傳統平面肖特基器件的所有局限性，這是由采用創新制造的邊緣端接(edge termination)設計的新的Vishay溝道MOS(金屬氧化物硅)專利技術創建的，如圖1所示。
圖1 采用新穎溝道端接設計的TMBS二極管的示意橫截面。Wt、Wm和Ht分別代表溝道寬度、硅細線寬度和溝道深度
溝道MOS結構還可以實現漂移區的電荷耦合效應。如圖2所示，TMBS結構的耦合效應將把電場分布從線性變為非線性，并成功地改變電場分布，使較強的電場從肖特基金屬硅界面轉移到硅襯底(silicon bulk)。減少的表面電場將抑制勢壘下降效應，顯著減少一個給定肖特基勢壘高度的泄漏電流。這將有助于降低所使用的肖特基勢壘的高度，而不必犧牲反向泄漏性能，進而使正向導通狀態壓降有所下降。
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