業界第一個商用TMBS整流器與傳統整流器電子應用的對比(08-100)

　　　1800 W/200 V SMPS

　　為了進行200 V應用的分析，對AC-DC電信1800 W SMPS進行了測試。當測得30 A/51 V DC輸出電流時，與商用200 V平面肖特基整流器相比，200 V TMBS解決方案的效率可提高0.44 %。這個SMPS使用了四個肖特基整流器，每個整流器都有一個共用負極，采用雙整流器配置。與評估的采用傳統平面肖特基技術的1.60 cm2 的1800 W SMPS相比，TMBS方法總的硅利用率為0.73 cm2(約為46 %)。表4所示為+50℃環境溫度恒溫室的測試結果。

　　表4 在+50℃環境溫度下額定1800 W的SMPS上的TMBS、平面肖特基和UFRD之間的效率基準。所有樣品均采用表1所示片芯尺寸的TO-247封裝

　　200 V電信DC-DC轉換器

　　在200 V條件下還對一個全磚48 V輸入和18 A/32 V輸出的隔離式電信DC-DC轉換器進行了測試。這種DC-DC轉換器拓撲結構由兩個350 kHz開關頻率的正激式轉換器組成，使用了四個200 V額定30 A的整流器。UFRD 2型和3型器件是具有低于17 ns TRR典型值的超快恢復整流器。

　　在+25℃環境溫度下，與這種應用中的超快恢復整流器相比，TMBS整流器能夠提高1 %的效率。這意味著TMBS器件可以比這個DC-DC轉換器使用的超快恢復整流器降低超過5 W的功耗。到目前為止，我們對可用的商用器件進行了測試，沒有發現可以用于這個350 kHz應用的平面肖特基整流器元件。

　　表5 在+25℃環境溫度下額定600 W的DC-DC轉換器上的TMBS整流器和兩個型號的UFRD之間的效率基準。所有樣品均采用表1所示片芯尺寸的TO-263封裝

　　結語

　　與傳統平面肖特基整流器相比，TMBS器件可以在100 V條件下實現正向壓降的改善，以及更好的開關性能，以及合理的反向泄漏電壓范圍，即使是在高達200 V的條件下。

　　TMBS產品設計的主要優勢是其將平面肖特基器件表面的最大電場轉移到溝道底部的外延內部的能力。這樣就可以抑制勢壘下降效應，降低給定肖特基勢壘的反向泄漏，這意味著可以利用比平面肖特基整流器更低的電阻率和更低的勢壘外延，實現正向電壓和開關增益。

　　應用分析顯示，350 W SMPS中的100 V/40 A器件具有最佳的節電性能，可以與120 W適配器同步設計中MOSFET的性能媲美。200 V TMBS整流器是業界第一款能夠在350 kHz DC-DC轉換器中使用的可以與UFRD競爭的肖特基器件，有助于改善節能效果。

　　不論是器件特征描述還是應用，用于SMPS和DC-DC轉換器的TMBS器件都是成本有效和堅固的解決方案。Vishay的TMBS系列可以提供100 V、120 V、150 V和200 V的電壓，有各種封裝規格可供使用，使這些器件成為了各種應用易于使用和理想的選擇，包括筆記本電腦、LCD顯示器/電視機、臺式機/服務器和電信通信電源系統的適配器。