SanDisk與索尼聯合開發TB級閃存技術

　　據存儲在線報道，在近期的CES展會上，SanDisk與索尼共同宣布了一項計劃，雙方打算聯合開發兩款新型大容量閃存，將閃存容量提升到TB級以上。

　　這兩款新產品目前被暫時定名為"Memory Stick format for Extended High Capacity"和"Memory Stick HG Micro"。其中"Extended High Capacity"格式將擴展目前索尼所用的"Memory Stick PRO"格式，它將是一種大容量存儲格式，數據存儲量最高可達2TB。

　　而"HG Micro"格式則專注于高速數據傳輸技術，它的傳輸速度可以高達60Mbps，它將是目前傳輸速率最快的小型存儲卡。

　　記憶棒通常會應用于各種消費電子產品，比如高清數碼相機、數字單反相機以及攝像機等等。如果將閃存記憶棒的容量提升到TB級以上，索尼和SanDisk就可以將它們應用到其他的領域。

　　但是低容量記憶棒仍是當前的主流產品，高容量記憶棒可能還需若干年才能問世。 SanDisk發言人表示，更高容量的驅動器不會在今年問世。

　　雖然將NAND閃存的容量一下子從32GB提升到2TB看似有些冒進，但是Convergent Semiconductors的首席分析師Bob Merritt表示，NAND的發展速度實際上比標準DRAM內存的發展速度要快一些。

　　他表示："NAND的單元結構的生產工藝比DRAM單元結構的生產工藝要簡單一些，現在DRAM單元結構的生產工藝還停留在50納米水平，而NAND單元結構的生產工藝已經達到30到40納米水平，并正向光刻技術級邁進。從單位比特成本的角度來說，NAND的成本下降速度比標準DRAM要快得多，這樣就推動了NAND技術的更快發展和應用。"

　　Merritt相信，從長遠的角度來說，NAND技術將走向更高容量等級并進入數據中心應用領域。三星和其他許多廠商一直在通過固態盤的方式向這個方向努力。 Merritt引述IBM學報的內容稱，硬盤存儲已經跟不上半導體的發展速度，因此非易失性存儲技術在整個市場上的份額將越來越大。

　　雖然閃存固態盤技術有可能成為今年的主流技術，但是這項技術今后還需接受更多的實踐檢驗。

　　Merritt解釋說："在占空度有限的情況下，數據中心的內存是無法滿足需求的。"隨機存儲可以無限使用，但是NAND閃存的使用時間是有限的。 他說："因此業內從未給OEM定義過要求。因此這個問題看起來才會比實際上更為嚴重。 OEM廠商們并不能確定它對支持客戶有什么意義。"

　　這對于它們來說是個壞消息。如果客戶在臨界任務環境下使用固態盤產品，那么OEM廠商就會因為銷售不成熟產品而遭到指責或起訴，內存廠商也會因那些產品而遭到指責或起訴。

　　Merritt表示："閃存硬盤的問題在于用戶可以擦除單個單元中的數據的次數。這個領域需要解決的問題很多，但是如果我們說的是更換巨大的硬盤驅動器，那么半導體行業面臨的問題就主要是一個驅動器可以擦除和復寫數據的次數。"