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    飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

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    作者: 時間:2007-08-07 來源:EEPW 收藏
    半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的射頻功率。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率,具有同類設備最高的排放效率和功率增益。

    這種超高效率承諾為工業、科技和醫療(ISM)市場提供業界最具創新力的射頻功率解決方案的最新例證。該的操作電壓為50V,與雙極和MOSFET 設備相比,它具有明顯的優勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統、CO2激光器、等離子體發生器和其他系統所需的功率。

    以空前的功率水平實現高增益,這大大減少了所需的部件數量,與傳統設計相比,部件數量減少了70%。部件數量的大幅減少,使主板空間要求和制造復雜性隨之降低,最終使放大器成本全面降低。 

    副總裁兼射頻部總經理Gavin P. Woods表示:“MRF6VP11KH的推出,在效率、輸出功率、可靠性和設計集成的便利性等各方面設定了新的行業基準。任何其他射頻功率設備(包括、MOSFET和雙極)都無法實現這樣的性能。我們將繼續針對這類市場推出創新設備,讓我們的客戶能夠攻克系統性能的新障礙。”

    這種晶體管在10-150 MHz之間運行。它采用飛思卡爾第六代高電壓 (VHV6) (橫向擴散金屬氧化物晶體管)技術,是飛思卡爾承諾向工業、科技和醫療(ISM)市場提供業界最新射頻功率解決方案的最新例證。該產品組合2006年6月公布的業界領先的50V VHV6 LDMOS設備系列,能夠滿足在頻率高達450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM應用所需的要求。

    ABI Research半導體研究主任Lance Wilson表示: “飛思卡爾憑借50V LDMOS已經突破RF 1 kW脈沖功率級別。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低熱阻和高輸出失配可存活性都給人留下了深刻印象。”
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