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    應用材料推出45納米光掩膜刻蝕技術設備

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    作者: 時間:2007-05-02 來源:EEPW 收藏
    近日,公司宣布推出先進的AppliedCenturaTetraTMIII掩膜刻蝕設備,它是目前唯一可以提供光掩膜刻蝕所需要的至關重要的納米制造技術系統。TetraIII通過控制石英掩膜把刻槽深度控制在10Å以內,同時把臨界尺寸損失減小到10nm以下,使客戶可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強有力的光學臨近修正技術。該系統為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術應用提供無差錯、高產能的刻蝕工藝。 
          
    公司資深副總裁,刻蝕、清潔、前道和離子注入產品事業部總經理TomSt.Dennis表示:“TetraIII系統在先進的二元掩膜及相移掩膜應用中的出色表現是幫助客戶實現45nm及更小技術節點掩膜產品的關鍵。隨著業界開發出一些潛在的新一代光刻解決方案,相關應用也以前所未有的速度不斷涌現。TetraIII系統能夠勝任所有光刻應用,在各種不同的光掩膜材料上完成刻蝕工作。”  

    AppliedCenturaTetraIII系統所具有的超潔凈和技術擴展平臺使客戶可以在最先進的掩膜上實現目前所能達到的最高產出。


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