美光新型存儲器要替代NOR快閃存儲器

　　是時候該跟平凡無奇的NOR快閃存儲器說再見了?美光科技(Micron)最近發表最新XTRMFlash系列產品，號稱速度可達到3.2Gb/s，而且與目前市面上的串列式NOR快閃存儲器接腳相容。

　　美光嵌入式業務部門NOR快閃存儲器產品總監Richard De Caro表示：“并列式快閃存儲器的時代已經結束了，美光新推出的XTRMFlash將可在接下來取代目前市面上的并列式與串列式存儲器──也許除了一些 低密度應用。”美光將為新產品推出容量從128Mb~2Gb的產品，目前第一波512Mb的產品已可提供樣品。

　　美光已經取得了包括飛思卡 爾半導體(Freescale)在內數家大型晶片供應商的背書;XTRMFlash新產品的問世也正與研究機構Databeans最新預測相符──該機構 預期，車用半導體營收規模將由今年的285億美元擴展至2020年的400億美元，其中有大部分應用是取決于NOR快閃存儲器，包括GPS、衛星無線電、 車輛對車輛通訊以及車用資通訊娛樂系統。

　　根據De Caro的說法，XTRMFlash的性能超越并列式、串列式以及Quad-SPI等類NOR快閃存儲器，其接腳數比目前的并列式NOR快閃存儲器減少 75%;此外該技術的隨機存取時間最快83奈秒(nanoseconds)、循序位元組讀取(sequential byte read)最快2.5奈秒，傳輸速度400MB/s (高于并列與串列快閃存儲器)。

　　XTRMFlash也能與目前串列式快閃存儲器采用 的Quad SPI接腳相容，只需小幅改變電路板設計就能達到上述的性能規格。美光表示最近已經在一些熱門的汽車、工業與消費性領域“永不關機”應用，測試其 XTRMFlash存儲器，能為人機介面、圖形式使用者介面(GUI)、儀器儀表、車用資通訊系統與先進駕駛人輔助系統(ADAS)帶來及時性的成功。