FMS2015XPoint內(nèi)存之思：這個東西屬不屬于PCM？

　　美國閃存峰會上的演講提出假設性觀點。

　　3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。

　　本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術作出了相關猜測——包括這項技術的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進行了咨詢，并以此為基礎提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點，該技術究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。

　　本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這次演講題為《后閃存生活——新型非易失性內(nèi)存技術(新技術追蹤)》。下圖中所包含的演示資料則源自由Intuitive Cognition Consulting負責人Dave Eggleston所作出的《3D XPoint MRAM與RRAM：未來就在當下》演講。

　　順帶一提，目前大家還無法直接從閃存記憶體峰會的官方網(wǎng)站上獲取到這些資料——確實有點遺憾。也許再過一、兩天，相關信息才會正式上線。

　　Tegile公司的Marc Farley親自參加了這一主題演講，并就相關內(nèi)容此發(fā)表了以下推文。

　　可以看到，Eggleston認為XPoint屬于經(jīng)過品牌調(diào)整的相變記憶體(簡稱PCM)。上圖中的演示內(nèi)容截取自Dave Eggleston的演示資料，其中包括英特爾公司未來可能采取的XPoint內(nèi)存使用方式。

　　下面通過放大圖一起來看更多細節(jié)信息：

　　本屆閃存記憶體峰會2015大會上的Dave Eggleston演示文稿

　　我曾經(jīng)與某位知識淵博的業(yè)內(nèi)人士就此進行過交流，對方認為XPoint內(nèi)存不應被看作是PCM的品牌調(diào)整結果。XPoint確實在物理流程當中使用了相變機制，但其主要革新成果體現(xiàn)在底層存儲單元材料以及選擇器的設計層面。業(yè)界普遍認為這一成果要遠遠領先于東芝以及三星的STT-MRAM(即自旋矩磁性RAM)方案或者(根據(jù)這位業(yè)內(nèi)人士的說法)惠普遲遲拿不出實際樣品的憶阻器技術。

　　XPoint內(nèi)存是一項行之有效的技術方案，而且在成本/存儲密度方面擁有相當出色的市場吸引力。總而言之，這是一項革命性的開發(fā)成果。

　　這份演示文稿指出，英特爾公司可能會將XPoint引入到服務器內(nèi)存DIMM當中。其具體時間可能會與英特爾計劃于2017年年內(nèi)推出的，代號為Purley的至強服務器CPU保持一致。我們的這位專家指出，目前可以確定其將配合新型協(xié)議采用DDR4總線，而且顯然會針對Read公司目前已經(jīng)確定的50至200納秒PCM原生延遲水平作出大量調(diào)整工作。

　　與Eggleston發(fā)布的演示資料相比較，XPoint的實際寫入緩沖性能明顯要出色得多。

　　目前每DIMM超過100 GB傳輸帶寬已經(jīng)得到確認，而且12瓦的預定功率窗口設計也表示壓力不大。

　　有鑒于此，我們可以預計在2017年年內(nèi)迎來速度更為驚人的服務器方案——這不僅是由于標準的CPU更新?lián)Q代，同時也受到了存儲性能水平的巨大推動。通過將數(shù)據(jù)保存在以DIMM形式存在的大量3D XPoint內(nèi)存模塊當中，我們將能夠為數(shù)量日益增長的計算核心提供充沛的數(shù)據(jù)供應。快些到來吧，美好的新時代!