英特爾和美光明年量產新一代非易失性存儲器

　　英特爾和美光科技于2015年7月28日發布了“3D XPoint技術”，英特爾稱其為“自1989年NAND閃存問世以來，內存技術時隔25年多取得的新突破”。兩家公司還利用該技術開發出了NAND閃存中比較普遍的容量為128GB的芯片。

　　設想應用于需要快速處理大量數據的領域。例如采用8K超高精細影像的游戲、面部識別及語音識別等圖案匹配、基因分析等。

　　兩家公司將于2015年底向特定客戶供應樣品，2016年正式開始銷售。

　　訪問時間與DRAM相當

　　簡單地概括其特點，可以說3D XPoint是訪問時間與DRAM相當的高密度存儲技術。不過，該技術也有局限性，包括可擦寫次數不足以取代DRAM、取代NAND閃存的成本較高等。

　　英特爾等公布了以下三項性能：(1)訪問時間為數十ns，只有NAND閃存的1/1000，(2)可擦寫次數為數千萬(接近108)次，是NAND閃存的1000倍，(3)內存單元的密度是DRAM的10倍。

　　雖然訪問時間與DRAM相當，但單元密度與NAND閃存處于同等水平。不過，可擦寫次數與DRAM相比還有很大差距。雖然大幅高于NAND閃存，但用于需要擦寫1014～1015次的主存儲器還遠遠不夠。

　　英特爾副總裁、非易失存儲器解決方案事業部總經理Rob Crooke表示，“成本將介于(每GB成本在幾十～一百日元的)DRAM與(每GB成本為幾日元的)NAND之間”。不過從目前來看，其價格可能接近DRAM。因為美光首席執行官Mark Durcan說，“NAND閃存的成本非常低，新技術不會對其構成威脅”。

　　結構與相變存儲器專利相似

　　英特爾等對3D XPoint做了如下介紹：(1)是基于2層以上交叉點結構的電阻變化型非易失性存儲器，(2)材料以化合物為基礎，(3)名為“選擇器(Selector)”的取代晶體管的開關技術是一大關鍵，(4)兩家公司都從10多年以前就開始研究，從2012年開始合作開發(圖1(a))。

　　圖1：可能采用相變存儲器技術

　　3D XPoint的結構(a)和美光于2015年3月公布的基于交叉點結構的相變存儲器專利(US20150074326)中的元件結構(b)。除有無中間電極等之外，結構基本一致。(圖：(a)由英特爾提供，(b)中的紅字和紅框是本站記者添加的) (點擊放大)

　　但是，英特爾和美光并未公布具體采用了哪種非易失性存儲器技術。NAND閃存以外的非易失性存儲器都屬于電阻變化型。因此，各新聞媒體有著各種不同的揣測。

　　目前，日經技術在線預測最有可能的是相變存儲器(PCM或PCRAM)。PCM的原理是，材料受熱量影響在非晶態和晶體態之間切換，電阻值會隨之發生變化。這也是英特爾和美光都擁有悠久開發歷史的技術。

　　尤其是美光于2015年3月公開的PCM專利，其結構與3D XPoint相似(圖1(b))。這項專利中的選擇器采用的技術是，利用與相變存儲器材料基本相同的材料實現了電流開關功能。

　　PCM在訪問時間、可擦寫次數及單元密度等性能方面也與3D XPoint基本一致(表1)。部分媒體認為，雖然ReRAM被看好，但ReRAM的瓶頸在于可擦寫次數較少。還有媒體推測3D XPoint與名為CeRAM*的PCM技術接近。但是，CeRAM還處于開發初期，并且使用不能稱作化合物的氧化鎳(NiO)。

　　表1：3D Xpoint與新一代非易失性存儲器技術群進行比較

　　* CeRAM：correlated electron RAM。將氧化鎳(NiO)作為相變材料的非易失性存儲技術。利用“量子相變”性質，即材料的能帶結構在金屬與半導體之間切換的性質。思美公司(Symetrix)是目前該技術的主要開發者。

　　而由PCM發展而來、提高了數據讀取時的吞吐量等的TRAM*也有2MB的試制品，3D XPoint也有可能采用這項技術。 (記者：野澤 哲生)

　　* TRAM：topological switching RAM。日本產業技術綜合研究所和日本超低電壓元器件技術研究聯盟(LEAP)開發的非易失性存儲器技術。通過優化PCM的晶體結構、縮短相變時的原子移動距離等，將數據讀取寫入時的吞吐量提高到了PCM的3倍