華虹半導體最新推出0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺

　　華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱「集團」)今日宣布，最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺。該工藝平臺作為華虹半導體0.18微米超低漏電技術的延續，可為客戶提供一個完美兼具高性能、低功耗、低成本優勢于一身的差異化解決方案。

　　新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺支持低至于1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。該平臺的存儲器IP具有10萬至50萬次擦寫次數、讀取速度達20ns等獨特優勢，尤其是，該技術的動態功耗達25uA/MHz，靜態功耗達50nA，可大幅提升電池壽命，延長時下最熱門的物聯網及可穿戴式設備的待機時間。該平臺還具有邏輯單元集成度高，包含電源管理單元等特點，門密度達到300K gate/mm2以上，能夠幫助客戶進一步縮小芯片面積。

　　該工藝平臺的最大特點是可在同一工藝中集成射頻(RF)、eFlash和EEPROM，24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC(System-on-a-Chip)芯片，具備更小的面積、更低的功耗和更強的可靠性等顯著優勢，并降低設計、制造和測試成本。該工藝平臺擁有豐富多樣的嵌入式存儲器IP，同時也提供高密度存儲器編輯器(Memory Complier)和標準單元庫，可為客戶量身定制性價比優越、全面靈活的解決方案，加速客戶產品上市時間。

　　基于該工藝平臺生產的低功耗微控制器(MCU)主要適用于各種智慧節能型產品，例如物聯網、可穿戴式設備、智能電網、嵌入式智能互聯設備、醫療電子、照明，以及工業和汽車電子等方面的應用。

　　?0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺成功集成了超低功耗的數模混合技術、嵌入式存儲技術及低成本的CMOS射頻技術，進而大幅提升客戶產品的市場競爭力。?華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示，?與微控制器相輔相成的物聯網市場規模預期將由2013年的 250億美元增至2020年的602億美元。我們面向物聯網，成功推出0.11微米超低漏電嵌技術，進一步壯大了豐富多樣的低功耗嵌入式存儲器工藝平臺組合，充分滿足多元化市場需求。?