英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會（APEC）

　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優化的增強模式和級聯模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統的消費電子產品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產品在諸如超薄LED電視機等終端產品市場開辟新的機會。

　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產品組合，結合公司了所收購美國國際整流器公司的GaN平臺，以及我們與松下電器的伙伴關系，使英飛凌在前景光明的GaN市場上確立了技術領先的地位。按照我們‘從產品到系統’的策略，現在，我們的客戶可以根據其設備/系統要求，靈活選擇增強模式或級聯模式。與此同時，英飛凌致力于開發表面貼裝器件(SMD)和IC，以便GaN技術在更為緊湊的空間內進一步充分發揮其優越性能。舉個常見的實例來說，利用我們的GaN技術，當前市場上銷售的便攜式電腦充電器的尺寸和重量，可以被縮小并減輕至目前的四分之一。”

　　擴充后，英飛凌提供產品將包括專門的驅動器和控制器IC，它們有助于充分發揮GaN在各種拓撲和更高頻率下的優越性。同時，通過收購International Rectifier公司, 更為廣博的專利組合、硅基GaN外延工藝和100V-600V技術等都得到了進一步加強。此外，通過與松下電器結成戰略合作伙伴關系，英飛凌與松下電器將聯合推出結合了松下電器的常閉型(增強模式)硅基GaN晶體管結構與英飛凌的表面貼裝器件(SMD)封裝的器件，推出易于使用的高能效600V GaN功率器件，這也將帶給客戶雙重貨源便利。

　　這樣一來，英飛凌為客戶提供了完備的系統知識，以及業界最全面的GaN技術和產品組合。不僅如此，英飛凌將憑借出類拔萃的生產工藝、量產能力和第二貨源渠道的優勢，為客戶提供采用英飛凌SMD封裝的常閉型GaN功率器件。

　　相比于硅技術解決方案，硅基GaN技術能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件尺寸，因此，非常適用于從諸如電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產品，到服務器和電信設備中使用的SMPS。IHS發布的市場研究報告稱，面向功率半導體的硅基板GaN技術市場，將以高達50%以上的年均復合增長率(CAGR)增長，因此，到2023年，其市場容量將從2014年的1,500萬美元，增至8億美元。

　　供貨情況

　　2015年3月15日至19日，在北卡羅來納州夏洛特市舉辦的應用電力電子會議暨展覽會(APEC)上，英飛凌和松下電器已展示采用DSO封裝的600V 70m?器件樣品。此外，還展出了增強模式和共源共柵配置器件。可在與客戶簽訂保密協議(NDA)的情況下，提供增強模式和級聯結構的器件樣品。全面上市的中壓級聯結構的GaN器件已向相應的D類音頻系統客戶開放。