光刻膠材料的重大突破 極紫外光刻邁向實用

Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低線寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料，最近終于取得了重大突破。

在國際光學工程學會(SPIE)舉行的光刻大會上，Intel就進行了這方面的展示，使用一種正型化學放大光刻膠(CAR)結合極紫 外底層，以及一種相應的漂洗劑，最終達成了22nm半節距(half pitch)分辨率，并滿足敏感度和LWR要求。

Intel據此驕傲地宣布，經過數十年的不懈努力，極紫外光刻技術已經從研究層面邁向實用，當然了，真正商用仍 尚需時日。

藍色部分即代表光刻膠