Maxim為什么選擇設計單片NV SRAM模塊
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開發NV SRAM的目的是生產一種類似于IC的混合存儲器產品，利用低功耗SRAM配合鋰紐扣電池工作，等同于帶有長期備用穩壓電源的CMOS技術。
為了理解Maxim的單芯片模塊(SPM)封裝設計以及對鋰錳(ML)二次(可充電)電池的選擇，首先需要知道電池備份存儲器的開發過程。如果了解選擇電池化學材料的相關問題，就很容易找到這一問題的答案。
建議讀者首先熟悉非易失應用中所使用的原(不可充電)鋰鈕扣電池，在應用筆記505："Lithium Coin-Cell Batteries: Predicting an Application Lifetime"中進行了說明。
“磚模塊”—過孔元件
早期的混合模塊封裝延用了傳統的雙列直插(DIP)封裝，這主要是受市場驅動的結果，因為EPROM插座為產品提供了更大的靈活性。模塊在制造過程中經過適當處理，具有連接方便、簡單易用并且可靠性高等優勢。將原鋰鈕扣電池集成到產品中的主要限制是鈕扣電池不能暴露在+85°C (+185°F)以上的溫度環境中。大批量電路板組裝過程中遇到的這一工藝限制迫使生產商在處理備份電池模塊時使用特殊的方法。而電池廠商對集成電路應用或印刷電路板組裝的要求并不熟悉，因此，電子制造涉及到的環境問題對他們而言是一個全新領域。當時，設計更耐熱的鈕扣電池也不是他們開發計劃所關心的主要問題。
對于很多用戶而言，習慣于將DIP模塊封裝稱為“磚模塊”，受模塊物力尺寸的限制，許多用戶很難為這種封裝找到合適的空間。
DIP模塊采用傳統的600mil寬的排列，占用較大的電路板面積，而且封裝的高度也較高。存儲器的每一次容量擴充都必須改動電路板布局，增加引腳數，并進一步增加電路板面積。模塊采用全密封結構，增加的材料也會影響最終電路板的抗振動特性。
解決溫度限制問題的常用方法是采用插座或手工焊接模塊。但這兩種方法會提高成本，而且安裝很不方便。另外，插座連接還會產生系統可靠性問題。
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