RT10XX 降低喚醒時沖擊電流

近來有客戶反饋，當(dāng)使用RT1060從suspend mode喚醒時，會在VDD_HIGH_IN觀測到一個較大電流。與此同時，電壓也會產(chǎn)生一個較大的跌落，下降到RT1060的臨界數(shù)值3.0V附近。在一些極端情況下可能會引起MCU異常無法正常工作。

如下圖所示，VDD_HIGH_IN主要為芯片內(nèi)部的analog部分供電，主要包括各類PLL，晶振，fuse，以及LDO。

經(jīng)過查閱應(yīng)用筆記，Suspend模式下，芯片內(nèi)部的LDO_2P5和LDO_1P1會被關(guān)閉以降低功耗，當(dāng)喚醒時，這兩個LDO將會被啟動為芯片內(nèi)部的電路供電。另外，這兩個LDO還外接了電容，在進(jìn)入Suspend的時候LDO關(guān)閉，電容放電；在喚醒時，LDO開啟，電容充電。那么引起問題的沖擊電流很可能就是來自于這個兩個外接電容。

為了驗證這個猜想，在進(jìn)入Suspend之前不關(guān)閉這兩個LDO，然后喚醒MCU，問題消失。但隨之而來的是帶來不必要的一些功耗。那么有沒有什么辦法既能在Suspend下關(guān)閉LDO節(jié)省功耗，又能在喚醒時減緩沖擊電流呢？答案必須有！

LDO有限流功能，以LDO_1P1為例，將bit2置1即可使能這個功能。在LDO_2P5的寄存器中也有相同功能，也是bit2寫1即可。我們同時將這兩個bit寫1，再進(jìn)行電流測試。

PMU->REG_2P5_SET |= 1<<2;

PMU->REG_1P1_SET |= 1<<2;

測試結(jié)果見下圖，峰值沖擊電流由原來高達(dá)2A減低到了400mA 。最低電壓由臨界值3.0V變成了3.25V左右。改善效果非常明顯。

如果你也遇到過類似情況，建議嘗試。