三星將在平澤P2廠建設10nm第七代DRAM試驗線

三星電子將在平澤二廠（P2）建設一條10nm第七代DRAM（1d DRAM）試驗線，以加強其競爭地位并提高新一代產(chǎn)品的良率。

據(jù)報道，三星計劃于2024年第四季度開始建設1d DRAM試驗線，預計于2025年第一季度完工。雖然這條1d DRAM生產(chǎn)線具體生產(chǎn)規(guī)模的細節(jié)尚不清楚，但業(yè)內(nèi)估計，試驗線的月產(chǎn)能通常約為10000片晶圓。

三星計劃于2025年開始量產(chǎn)1c DRAM，隨后于2026年開始量產(chǎn)1d DRAM。該公司在為1c DRAM量產(chǎn)做準備的同時建立這條試驗線的決定反映出其積極的發(fā)展戰(zhàn)略。

業(yè)內(nèi)人士稱，新任三星設備解決方案（DS）負責人全英鉉（Young-Hyun Jun）的技術背景使他能夠直接管理三星的存儲技術，從DRAM等核心業(yè)務開始，在DS部門內(nèi)實施重大改革。與此同時，三星也在加大對NAND閃存技術的投資。

最近，三星平澤第一工廠（P1）建立了業(yè)界第一條堆疊400層3D NAND（V10）的測試線，而P4的NAND工廠則引進了堆疊286層（V9）的設備。

通過對DRAM和NAND技術的戰(zhàn)略投資，三星旨在保持其在全球存儲市場上相對于競爭對手的技術優(yōu)勢。加速開發(fā)測試線和推進下一代產(chǎn)品的量產(chǎn)，凸顯了三星決心在激烈的競爭環(huán)境中鞏固其領先地位。