• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > 網絡與存儲 > 業界動態 > 北京君正:21nm DRAM新工藝預計年底推出

    北京君正:21nm DRAM新工藝預計年底推出

    作者: 時間:2024-11-14 來源:全球半導體觀察 收藏

    近日,在接受機構調研時就的新工藝情況表示,和20nm都有在研,預計的今年年底會推出,20nm預計將于明年中前后推出,后續還會繼續進行更新工藝的產品研發。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202411/464611.htm

    關于存儲中各類市場的收入占比情況,表示,汽車市場占比大概40%以上,工業和醫療今年市場景氣度差一些,去年占比超過30%,今年大概不到30%,剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。

    存儲產品價格方面,的存儲產品主要面向行業市場,這個市場的價格變動特點和消費類市場不同,這幾年行業市場存儲價格高點是2022年,2022年末行業市場進入下行周期后,價格逐漸有所下調,但幅度相對較小。

    北京君正同時披露各產品線的毛利率水平:計算芯片的毛利率波動較大,受市場需求和競爭影響較大,今年三季度的毛利率約為35%多;存儲芯片的毛利率三季度大約接近34%;模擬與互聯芯片毛利率一直保持在較高水平,三季度仍然保持在50%以上。



    關鍵詞: 北京君正 21nm DRAM

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 乌拉特后旗| 神农架林区| 克山县| 上林县| 营口市| 梅州市| 鄢陵县| 贵定县| 孙吴县| 建瓯市| 鄢陵县| 岳阳县| 确山县| 金山区| 阳春市| 内黄县| 铁力市| 大关县| 淮南市| 达州市| 伊金霍洛旗| 罗江县| 彝良县| 城市| 洛南县| 弥渡县| 日土县| 新宁县| 柘城县| 哈尔滨市| 灵山县| 常熟市| 湛江市| 肃北| 麻阳| 常山县| 白朗县| 满城县| 遂川县| 杭锦旗| 道真|