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    優晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設備通過技術鑒定

    作者: 時間:2024-06-12 來源:全球半導體觀察 收藏

    6月7日,蘇州優晶半導體科技股份有限公司(以下簡稱“”)宣布電阻法獲行業專家認可,成功通過技術鑒定評審。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202406/459825.htm

    鑒定委員會認為,電阻法晶體生長設備及工藝成果技術難度大,創新性強,突破了國內大尺寸晶體生長技術瓶頸,擁有自主知識產權,經濟效益顯著。

    資料顯示,成立于2010年12月,專注于大尺寸(6英寸及以上)導電型晶體生長設備研發、生產及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC,經持續工藝優化,目前已推出至第四代機型——UKING ERH SiC RV4.0電阻法SiC長晶設備,可用于6英寸、量產。

    據了解,此前4月,優晶半導體最新出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法長晶設備已順利通過驗收,標志著優晶科技國際業務取得突破。此次出口的SiC電阻法長晶設備,是優晶科技根據市場需求研發的第四代產品,設備的穩定性、可靠性、工藝水準均有提升。



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