HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求

三星、SK海力士及美光等國際內存巨擘，皆積極投入高帶寬內存（HBM）制程，法人表示，在產能排擠效應下，下半年DRAM產品恐供不應求，預期南亞科、威剛及十銓等業者受惠。

據TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產能提升將集中今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。

由于HBM獲利表現佳，加上需求續增，生產排序最優先。以HBM最新發展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。

SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1beta nm制程，兩家業者現已出貨輝達（NVIDIA）；三星則采用1alpha nm制程，預期2024年第二季完成驗證，于年中開始交付。

PC、服務器、智能型手機三大應用單機搭載容量增長，對先進制程的消耗量也逐季提升，其中，又以服務器容量提升最高，隨著Intel、AMD新平臺Sapphire Rapids、Genoa量產后，其內存規格僅能采用DDR5，預期2024年DDR5滲透率至年底將逾50％。

HBM3e出貨將集中下半年，期間同屬內存需求旺季，DDR5與LPDDR5（X）預期需求也將看增。在HBM投片比重擴大的情況下，將使得產出有限，下半年產能配置，將會是供給是否充足的關鍵。

三星現有廠房年底產能大致滿載，新廠房P4L規劃于2025年完工，同時Line15廠區將進行制程轉換，由1Ynm轉換至1beta nm以上。

SK海力士M16產能將于2025年擴大，M15X規劃于2025年完工，并于年底量產。美光中國臺灣廠區估2025年恢復滿載，后續產能擴張將以美國為主，Boise廠區2025年完工并陸續移機，并計劃2026年量產。

由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規格為HBM3e 192／384GB，預期HBM產出將接近翻倍，各原廠將投入HBM4研發，因各家產能規劃皆以HBM為優先，在產能排擠效應下，DRAM產品恐供應不及。