三菱電機和Nexperia合作開發SiC功率半導體

三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關技術經驗。

東京--(美國商業資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發SiC分離器件。

電動汽車市場正在全球范圍內擴大，并有助于推動SiC功率半導體的指數級增長，SiC功率半導體比傳統硅功率半導體具有更低的能量損失、更高的工作溫度和更快的開關速度。SiC功率半導體的高效率有望為全球脫碳和綠色轉型做出重大貢獻。

三菱電機在高速列車、高壓工業應用和家用電器等領域建立了領先地位。2010年，該公司推出了世界上第一個用于空調的SiC功率模塊，并于2015年成為新干線子彈頭列車全SiC功率模塊的首家供應商。三菱電機在開發和制造SiC功率模塊方面積累了卓越的專業知識，這些模塊以其先進的性能和高可靠性而聞名。