Transphorm和偉詮電子合作發(fā)布集成式GaN SiP
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Transphorm將在APEC2023會(huì)議上展出該產(chǎn)品(展位#853)。
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc.與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布雙方合作推出首款系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片。
偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領(lǐng)導(dǎo)者之一，新推出的WT7162RHUG24A電源轉(zhuǎn)換器控制芯片，設(shè)計(jì)用于為智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設(shè)備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過(guò)93%。該器件的樣品將在2023年第二季度推出。
位于臺(tái)灣地區(qū)新竹科學(xué)園區(qū)的偉詮電子是一家領(lǐng)先的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司，專門從事混合信號(hào)/數(shù)字IC產(chǎn)品的規(guī)劃、設(shè)計(jì)、測(cè)試、應(yīng)用開(kāi)發(fā)和分銷，產(chǎn)品用于電源、電機(jī)控制、圖像處理等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。向市場(chǎng)推出該SiP新品，標(biāo)志偉詮電子取得一項(xiàng)重大成就，新推出的GaN SiP展示了偉詮電子對(duì)AC-DC電源市場(chǎng)的承諾——使用Transphorm的SuperGaN?技術(shù)提供完整的系統(tǒng)級(jí)解決方案。
該新產(chǎn)品上市，也再一次證明Transphorm氮化鎵器件的接口簡(jiǎn)易性和卓越性能。Transphorm將在2023年應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC)上首次展示這款偉詮電子的SiP（展位號(hào)為853）。兩家公司還將在會(huì)議期間發(fā)布有關(guān)WTDB_008 65W USB PD電源適配器評(píng)估板的詳細(xì)信息。
偉詮電子總經(jīng)理林崇燾(Tony Lin)表示：“WT7162RHUG24A是業(yè)界首款公開(kāi)發(fā)布的采用Transphorm GaN的SiP。能幫助制造商開(kāi)發(fā)出成本更低的系統(tǒng)解決方案，因?yàn)榇私鉀Q方案需要的器件更少，使用更小的PCB，還能減少系統(tǒng)開(kāi)發(fā)時(shí)間。諸多優(yōu)勢(shì)可以高效地幫助適配器制造商消除設(shè)計(jì)障礙。值得注意的是，憑借此新產(chǎn)品，偉詮電子可以進(jìn)入一個(gè)新的市場(chǎng)。這是我們的PWM控制器有史以來(lái)的首個(gè)SiP，證明了偉詮電子對(duì)支持大批量增長(zhǎng)領(lǐng)域的承諾。而且，通過(guò)與GaN FET的集成提高了性能輸出水平。這是偉詮電子、Transphorm和我們共同客戶的一次共贏。”
Transphorm總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官Primit Parikh表示：“適配器快充市場(chǎng)是目前氮化鎵應(yīng)用的一個(gè)快速增長(zhǎng)領(lǐng)域。我們正在擴(kuò)大市場(chǎng)份額，并繼續(xù)創(chuàng)新。最近推出的這款GaN SiP，使Transphorm的GaN器件更易使用。我們很高興能將業(yè)界領(lǐng)先的SuperGaN平臺(tái)與偉詮電子的創(chuàng)新型適配器電源控制器技術(shù)結(jié)合起來(lái)。偉詮電子提供了一個(gè)領(lǐng)先的功率轉(zhuǎn)換平臺(tái)，可以為適配器/快速充電器客戶打造一個(gè)簡(jiǎn)單易用的解決方案，雙方可以利用這個(gè)平臺(tái)加速贏得這個(gè)市場(chǎng)。”
WT7162RHUG24A的規(guī)格和特點(diǎn)
新推出的SiP集成了偉詮電子的WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaN? FET。此表面貼裝器件采用24引腳8x8 QFN封裝，可減少印刷電路板尺寸。其它主要規(guī)格包括：
● 峰值功率效率：> 93%
● 功率密度：26 W/in3
● 寬輸出電壓操作：USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V
● 最大頻率：180kHz
● 目標(biāo)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：QR反激模式/谷值開(kāi)關(guān)多模操作
主要特點(diǎn)包括：
特點(diǎn) | 優(yōu)勢(shì) |
可調(diào)節(jié)的GaN FET開(kāi)/關(guān)速度 | 提高EMI測(cè)試和解決方案的靈活性 |
不需要外部VDD線性穩(wěn)壓器電路 | 減少元件數(shù)量 |
減少封裝寄生效應(yīng)（電感、電阻、電容） | 最大限度提高芯片性能 |
直接從交流主電壓的相線/中性線拉出700V超高壓?jiǎn)?dòng)電流 | 減少元件數(shù)量 |
8x8 QFN封裝盡管增加了PWM | 適用于窄小空間，減小系統(tǒng)占地面積 |
目標(biāo)應(yīng)用和供貨信息
WT7162RHUG24A SiP適用于高性能、小體積USB-C電源適配器，可用于移動(dòng)/物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、耳機(jī)、無(wú)人機(jī)、揚(yáng)聲器、相機(jī)等。
評(píng)論