美光擬10年投資150億美元 在美國新建內存芯片工廠

9月2日消息，美國當地時間周四，美光宣布將在未來10年投資約150億美元，在愛達荷州博伊西新建一家內存芯片制造工廠。

美光表示，這將是20年來在美國本土新建的首家內存芯片制造廠，也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。該公司預計，這項投資計劃將在2030年前總共創造1.7萬個就業機會，其中該公司將直接創造2000個崗位。

美光在新聞稿中稱，這項投資確保了DRAM（動態隨機存取存儲器）和NAND閃存的美國國產化。此前，這類芯片大部分產自亞洲。新設施生產的內存將用于汽車、數據中心、人工智能（AI）和5G等領域。

這項投資決定是在美國總統喬·拜登（Joe Biden）簽署《芯片法案》之后做出的，美光稱愛達荷州提供的激勵措施也發揮了重要作用。

美光首席執行官桑賈伊·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“我們新的尖端內存芯片制造工廠將推動美國爭取技術領先地位，確保可靠的國內半導體供應，這對經濟和國家安全至關重要。”

拜登總統在聲明中說：“美光此舉代表著美國的又一大勝利，我們將在美國制造電動汽車、芯片、光纖和其他關鍵部件?！?/p>

美光沒有提供新工廠產能或將生產的芯片類型等細節。此次擴張正值美光因需求疲軟而下調其第四季度營收預期之際，其競爭對手同行希捷也大幅下調了第一財季的預期。

市場研究機構Summit Insights Group分析師Kinngai Chan表示：“美光正在按照美國政府希望的方式行事，那就是在美國建造制造工廠?！?/p>

美光計劃在2030年前投資400億美元，分多個階段在美國建設制造設施，以支持其在美國弗吉尼亞州、日本、新加坡等地的工廠。這項計劃估計總共可創造4萬個就業機會。