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    貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應用提供更好的支持

    作者: 時間:2022-06-09 來源:電子產品世界 收藏

    提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷United(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4CUF4SC 1200V碳化硅 () 。作為廣泛的高性能 系列產品,此第四代器件具有出色的導通電阻特性,適用于主流800V總線架構中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202206/434994.htm

     

    貿澤電子分銷的UF4C/SC SiC 為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻 (RDS(on)) 值為23mΩ70mΩ,可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性,非常適合開關感性負載,以及任何需要標準柵極驅動的應用。

    image.png 

    UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V12V15V柵極驅動電壓安全驅動,從而在不改變柵極驅動電壓的情況下,成為硅IGBTFET或超級結器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括:通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內置ESD柵極保護箝位。




    關鍵詞: SiC FET

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