中天弘宇：攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

閃存是當今數據存儲的重要介質之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發展，相比于NAND技術的快速演進，NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規模應用的關鍵。經過中天弘宇集成電路有限公司的潛心研發，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 

“我們經過了近十年的研發積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構，但和英特爾最早發明的NOR完全不是一回事，我們有自己完整的知識產權和專利體系。” 中天弘宇集成電路有限公司執行董事長趙涇生先生的開場白顯得非常自豪，“我們對NOR閃存架構設計進行了全新的改進，從而克服了固有的設計缺陷，這點連Intel都非常震驚，通過我們的架構設計完全可以讓NOR閃存進入到65nm甚至28nm以下的工藝。” 

相比于更適合大容量應用的NAND閃存，NOR閃存的讀取速度要快得多，非常適合芯片內的存儲應用，但限于工藝制程，NOR閃存的應用市場比起千億級的NAND閃存要小得多，很多芯片內還在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技術突破將讓NOR閃存變得更具競爭力，通過取代DRAM+NAND的方式可以為芯片帶來更高讀取速度和更低的內存讀取功耗，而后者現在已經成為芯片整體功耗中非常關鍵的一環。難怪趙涇生先生感嘆，“通過解決了壽命和工藝兩大問題，擺在我們面前的將是千億美元規模的未來的NOR市場！” 

如此具有突破意義的技術創新將會帶來哪些產品的創新? 趙涇生先生介紹中天弘宇目前主要的工作有兩個方面，一個是繼續優化NOR內存的設計，并通過和代工廠的合作進行試生產，從而提供給部分客戶成品的NOR閃存進行測試和設計選用，未來希望能夠廣泛應用到客戶的設計中。另一方面，為了給更多對此產品持有懷疑態度的客戶展示NOR產品的強大性能，中天弘宇研發了一款ARM架構的MCU，其核心特點就是通過選用自己的NOR閃存能夠把電壓從1.65V降到1V，從而大幅降低MCU的功耗，實現性能的全新突破。 

光有產品并不是中天弘宇集成電路有限公司的全部計劃，他們未來還計劃推出各種專利授權的模式和各種不同的客戶合作。，趙涇生先生表示，“我們將采取多種合作方式推廣NOR閃存技術，不僅推出各種產品，而且還可以對客戶進行專利授權和共同開發等方式，讓更多客戶通過介入設計環節進行產品的定制化創新，帶來更多的競爭優勢”。

 趙涇生先生在論壇上還透露了中天弘宇的愛國情懷，“我們中國公司攻克了NOR閃存的技術缺陷并掌握了核心技術專利，我們也希望將NOR閃存的生產工藝專利留在中國，因此我們選擇的是中芯國際和華虹宏力兩家代工廠進行工藝開發合作。通過和上下游合作伙伴一起進行制造和工藝攻關，邁出中國閃存更大的一步，提升我國芯片自主化水平。”

我們真的可以自豪的說，中天弘宇的突破創新讓未來的NOR閃存的產業主導權將全面掌握在中國企業手中，屆時中國的IC設計產業將會比國外競爭對手搶占更高的NOR閃存設計先機。