7nm、5nm接踵而至 芯片開發成本將超過2億美元

　　Q3臨近，各家公司的財報也是悲喜兩重天，而全球最大的光刻機公司荷蘭ASML公司保持開掛態勢，當季營收27.8億歐元，凈利潤6.8億歐元，同比增長13.4%，出貨了5臺EUV光刻機。據悉，ASML預計全年出貨18臺，明年將增長到30臺，為何光刻機的生意如此“紅火”?

　　工藝升級帶來利好

　　從大勢來看，這是工藝升級需求所致。

　　臺積電前不久試產了7nm EUV工藝，采用ASML的新式光刻機Twinscan NXE，完成了客戶芯片的流片工作，同時宣布5nm工藝將在2019年4月開始試產，量產則有望在2020年第二季度。

　　在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術的可靠和成熟，為后續量產打下了堅實基礎。相比臺積電第一代7nm深紫外光刻(DUV)技術，臺積電宣稱可將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。而7nm之后，臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5)，將在多達14個層上應用EUV，號稱其可比初代7nm工藝的晶體管密度提升80%，芯片面積縮小45%，頻率提升15%，功耗降低20%。

　　而三星也宣布開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產工作。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻機，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產能1500片。在技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現面積能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝。

　　這些代工巨頭們在先進制程持續競賽，意味著EUV工藝就要正式產業化，這為打拼20多年的ASML帶來了全新的曙光，迎來了開掛態勢。

　　產能進一步提升

　　值得一提的是，ASML明年下半年會推出新一代的NXE:3400C型光刻機，WPH(每小時處理的晶圓數量)產能從現在的每小時125片晶圓提升到155片晶圓以上，意味著產能提升24%。

　　現在的NXE:3400B型EUV光刻機的產能為125 WPH，而NXE:3400C的產能預計再提升24%，這對改善EUV工藝的產能很有幫助。

　　不過有專家分析，EUV光刻工藝今年正式量產只是一個開始，因為沉浸式光刻機的產能可達250 WPH，可以250W的光源長時間穩定運行，因此，EUV光刻155 WPH的產能雖然可喜可賀，但還需要持續精進。

　　ASML公司CEO Peter Wennink也曾指出，“ASML 也將著力加速提升EUV系統的妥善率和生產力，以實現2019年至少出貨30臺EUV系統的計劃。”

　　開發成本躥升

　　而在ASML公司Q3的光刻機銷售中，韓國公司占比33%，我國臺灣公司占比30%，大陸公司占比18%，前一個季度中大陸公司占比是19%，不過Q3季度中臺灣公司占比從18%增長到了30%，韓國公司占比從35%降至33%。

　　在單機過億歐元的EUV光刻機方面，Q3季度ASML出貨了5臺EUV光刻機，上個季度出貨7臺EUV光刻機，預計Q4季度出貨6臺EUV光刻機，全年出貨的數量將達到18臺，而2019年EUV光刻機預計出貨數量達到30臺。

　　而這也表明，隨著半導體工藝的急劇復雜化，不僅開發量產新工藝的成本大幅增加，開發相應芯片也越來越花費巨大，目前估計平均得花費1.5億美元，5nm時代可能要2-2.5億美元。中國大陸無論是代工廠商還是芯片廠商，都需要為這股“前進”勢力付出更多的投入。