3D SiC技術閃耀全場，基本半導體參展PCIM Asia引關注

　　6月26日-28日，基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。

　　基本半導體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調，獨有的3D SiC?技術和自主研發的碳化硅功率器件吸引了眾多國內外參展觀眾的眼球。

　　全球獨創3D SiC?技術

　　展會期間，基本半導體技術團隊詳細介紹了公司獨創的3D SiC?外延技術，該技術能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結構取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩定性。優良的外延質量和設計靈活性也有利于實現高電流密度的高壓器件。

　　碳化硅肖特基二極管

　　基本半導體碳化硅肖特基二極管提供行業標準封裝，具有優越的性能和極高的工作效率。其中650V、1200V和1700V 的肖特基二極管采用特有的嵌入式結構，反向漏電流比傳統結構低3個數量級，更利于高溫(250℃)環境下工作，抗浪涌電流能力強，正向壓降低，各項性能達到國際先進水平。

　　碳化硅MOSFET

　　基本半導體碳化硅MOSFET具有低的 RDS(ON)，開關性能優良，可提高器件工作效率，減小芯片面積。同時能在更高的開關頻率下，通過更低的熱損耗實現高效率。碳化硅 MOSFET可在電機驅動器、開關電源、光伏逆變器和UPS等領域廣泛使用。

　　基本半導體生產的碳化硅外延片低摻雜層厚度可高達250μm，具有極低的缺陷密度和高均勻性，可生產3.3千伏以上的高壓器件和1萬伏以上的超高壓器件，主要應用于軌道交通、智能電網、醫療設備和國防軍工等領域。

　　此外，基本半導體研發的全碳化硅模塊和混封碳化硅模塊也在展會一一亮相，參觀人流絡繹不絕。

　　基本半導體副總經理張振中博士在同期舉行的電力電子應用技術論壇發表主題演講，介紹公司高性能的3D SiC JBS Diode，吸引了眾多業內人士的關注，在演講結束后與張博士進行了深入交流和探討。

　　PCIM Asia 2018已經完美落幕，基本半導體將在推動中國第三代半導體發展的征途中繼續揚帆起航，凝心聚力鑄就輝煌。