美光科技和英特爾發布NAND存儲聯合開發計劃的最新動態

　　美光科技和英特爾今日發布了雙方 NAND 存儲聯合開發計劃的最新動態。這段成功的合作關系已幫助兩家公司開發出行業領先的 NAND 技術并順利推向市場。

　　此次發布內容包括兩家公司商定將各自獨立開發新世代 3D NAND 技術。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術的開發，該技術將在 2018 年末交付，并持續到 2019 年初。在此技術節點之后，兩家公司將獨立開發 3D NAND 技術，針對各自的業務需求更好地優化技術和產品。

　　美光科技和英特爾均預期各自未來的 3D NAND 技術節點開發步調不會發生改變。兩家公司目前正量產以第二代 3D NAND(64 層)技術為基礎的產品。

　　雙方仍將繼續在位于猶他州李海的 Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) 合資工廠聯合開發和制造 3D XPoint? 產品，該工廠現已完全專注于 3D XPoint 存儲的生產。

　　“美光與英特爾的合作由來已久，我們期待在未來各自進行 NAND 開發的同時繼續就其他項目與英特爾合作。”美光科技技術開發執行副總裁 Scott DeBoer 說，“我們3D NAND 技術的開發路線圖非常穩固，計劃在我們業界領先的 3D NAND 技術基礎上，將極具競爭力的產品推向市場。”

　　“英特爾和美光科技建立了成功的長期合作關系，令雙方受益匪淺。現在，NAND 開發合作關系已經發展到了適當階段，是時候讓兩家公司致力于各自專注的市場。”英特爾非易失性存儲解決方案部門高級副總裁兼總經理 Rob Crooke 說，“我們的 3D NAND 和 Optane? 技術路線圖為客戶應對當下的眾多計算和存儲需求提供了強大的解決方案。”