1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

　　這張照片展示了一堆古董內存。從上到下是：采用三星顆粒的兩根32M 72針DRAM內存，韓國生產。中間是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM內存。最下面是采用英飛凌顆粒的64M PC133 SDRAM內存，葡萄牙生產。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集團的內存品牌。赫克松成立于1989年，是德國英飛凌和日本爾必達的亞太區總代理，因此采購兩家的DRAM顆粒，到新加坡組裝成內存條，然后銷售到中國大陸，靠價格低廉取勝。不過時至今日，德國英飛凌(奇夢達)和日本爾必達，都已經破產倒閉。只剩下了韓國三星獨霸江湖。

　　DRAM是動態隨機存儲器的意思，也就是電腦內存。對于今天的消費者來說，電腦內存只是些綠色的小條條，售價不過幾百元。然而這些小玩意，卻走過了長達120年的復雜演進歷史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導體晶體管DRAM內存。人們已經很難想象，一個電冰箱大小的計算機存儲器，只能存儲幾K數據，售價卻高達幾萬美元。在中國市場，1994年的時候，一根4M內存售價1400元，相當于兩個月工資。1999年臺灣921大地震，在北京中關村，一根64M SDRAM內存條，價格可以在幾天內，從500元暴漲到1600元。

　　自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年。DRAM內存芯片市場，累計創造了超過1萬億美元產值($1000,000,000,000美元)。企業間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。無數名震世界的產業巨頭轟然倒地。就連開創DRAM產業的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM，也分別在1986年、1998年和1999年，凄慘地退出了DRAM市場。目前，只有韓國三星和海力士，占據絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。

　　從美國到韓國，這個巨大的轉變，背后隱藏著半個世紀以來，那些不為人知的經濟戰爭，足以載入經濟學教科書。把歐美和中國，那些冒牌經濟學家，極力鼓吹的“自由市場經濟”論調，徹底掃進垃圾堆。

　　——這是一場真正的經濟戰爭，國與國之間的生死較量，慘烈程度遠超液晶戰爭。

　　1949年，美國哈佛大學實驗室的王安博士，發明磁芯存儲器。這種古老的存儲器一直使用到1970年代。直至被英特爾批量生產的DRAM內存淘汰。

　　在敘述這場經濟戰爭前，我們先從總體上，了解一下DRAM內存產業的脈絡和現狀。

　　電腦存儲器的發明者，幾乎都來自計算機巨頭——美國IBM公司。IBM的歷史最早可追溯到1890年代。美國統計學家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研制了穿孔制表機，采用在卡紙上打孔的方式，記錄統計數據。1890年，美國進行第12次人口普查時，便大量采用這種機器。直到1930年代，IBM每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。

　　1932年，IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek)，發明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器，稱為“磁鼓存儲器”。直到1950年代，磁鼓依然是大型計算機的主要存儲方式。1956年，IBM公司購買了中國人王安博士(上海人)，擁有的“磁芯存儲器”專利。磁芯存儲一直使用至1970年代。1966年，IBM公司的研究人員，羅伯特·登納德博士，發明了半導體晶體管DRAM內存，并在1968年獲得專利。

　　然后，1970年美國英特爾，依靠批量生產DRAM大獲成功，逼死了磁芯存儲器。1976年日本廠商進攻DRAM市場后，差點將英特爾逼死。1985年美國發動經濟戰爭，扶植韓國廠商進攻DRAM產業，又將日本廠商逼死。1997年美國發動亞洲金融風暴，差點將韓國廠商逼死。美國控制韓國經濟后，韓國廠商又借著DRAM市場的暴利翻身崛起。此時不怕死的臺灣人沖進DRAM市場，投入500億美元卻虧得血本無歸。2007年全球經濟危機，逼死了德國廠商，并將臺灣DRAM廠商打翻在地，狠踩兩腳。2017年，不怕死的中國大陸廠商沖了進來，準備投資660億美元，進攻DRAM市場。

　　有人說，中國人瘋了。

　　我說沒瘋，因為中國——做為世界第一大電子產品制造國，居然90%以上的內存靠進口，剩下那部分，居然連國產的產量，都控制在韓國企業手里。

　　2015年，韓國三星電子投資136億美元(15.6萬億韓元)，在韓國京畿道平澤市，建設12寸晶圓DRAM廠(Fab18)。該項目占地2.89平方公里，總產能預計將達到每月45萬片晶圓，其中3D NAND閃存芯片將占據一半以上。主要生產第四代64層堆疊3D NAND閃存芯片。2017年7月4日三星宣布該廠投產。